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    介電常數(shù)測(cè)試儀

    介電常數(shù)測(cè)試儀

    價(jià)格:20650元瀏覽:646次聯(lián)系:劉元元 / 15132636097 / 企業(yè):北京北廣精儀儀器設(shè)備有限公司留言店鋪收藏

    介電常數(shù)測(cè)試儀主要特點(diǎn):

    空洞共振腔適用于CCL/印刷線路板,薄膜等非破壞性低介電損耗材料量測(cè)。 印電路板主要由玻纖與環(huán)氧樹脂組成的,玻纖介電常數(shù)為5~6,樹脂大約是3,由于樹脂含量,硬化程度,溶劑殘留等因素會(huì)造成介電特性的偏差,傳統(tǒng)測(cè)量方法樣品制作不易,尤其是薄膜樣品(小于10 mil)量測(cè)值偏低,。

     

    介電常數(shù)測(cè)試儀儀器技術(shù)指標(biāo):

    ☆Q值測(cè)量:

    a.Q值測(cè)量范圍:2~1023。              b.Q值量程分檔:30、100、300、1000、自動(dòng)換檔或手動(dòng)換檔。

    c.標(biāo)稱誤差

          頻率范圍:20kHz~10MHz;       固有誤差:≤5%?滿度值的2%;工作誤差:≤7%?滿度值的2%;

          頻率范圍:10MHz~60MHz;      固有誤差:≤6%?滿度值的2%;工作誤差:≤8%?滿度值的2%。

    ☆電感測(cè)量:

    a.測(cè)量范圍:14.5nH~8.14H。

    b.分    檔:分七個(gè)量程。

          0.1~1μH,    1~10μH,    10~100μH,  

          0.1~lmH,     1~10mH,     10~100mH,   100 mH~1H。

    ☆電容測(cè)量:

    a.測(cè)量范圍:1~460pF(460pF以上的電容測(cè)量見使用規(guī)則);

    b.電容量調(diào)節(jié)范圍

          主調(diào)電容器:30~500pF;                準(zhǔn)  確  度:150pF以下?1.5pF;150pF以上?1%;

          注:大于直接測(cè)量范圍的電容測(cè)量見使用規(guī)則

    ☆振蕩頻率:

    a.振蕩頻率范圍:10kHz~50MHz;

    b.頻率分段(虛擬)

    10~99.9999kHz

    100~999.999kHz

    1~9.99999MHz

    10~60MHz

    c.頻率誤差:3?10-5?1個(gè)字。

     

    主要配置:

    a.測(cè)試主機(jī)一臺(tái);

    b.電感9只;

    c.夾具一 套

     

    安全措施

    (1)高壓保護(hù):試品短路、擊穿或高壓電流波動(dòng),能迅速切斷高壓輸出。

    (2)CVT保護(hù):設(shè)定自激電壓的過流點(diǎn),一旦超出設(shè)置的電流值,儀器自動(dòng)退出測(cè)量,不會(huì)損壞設(shè)備。

    (3)接地檢測(cè):儀器有接地檢測(cè)功能,未接地時(shí)不能升壓測(cè)量。

    (4)防誤操作:具備防誤操作設(shè)計(jì),能判別常見接線錯(cuò)誤,安全報(bào)警。

    (5)防“容升”:測(cè)量大容量試品時(shí)會(huì)出現(xiàn)電壓抬高的“容升”效應(yīng),儀器能自動(dòng)跟蹤輸出電壓,保持試驗(yàn)電壓恒定。

     

    低頻電橋

     一般為高壓電橋,這不僅是由于靈敏度的緣故,也因?yàn)樵诘皖l下正是高電壓技術(shù)特別對(duì)電介質(zhì)損耗關(guān)注的問題。電容臂和測(cè)量臂兩者的阻抗大小在數(shù)量級(jí)上相差很多,結(jié)果,絕大部分電壓都施加在電容Cx和C}上,使電壓分配不平衡 上面給出的電橋平衡條件只是當(dāng)?shù)蛪涸?duì)高壓元件屏蔽時(shí)才成立。同時(shí),屏蔽必須接地,以保證平衡穩(wěn)定。如圖A. 2所示。屏蔽與使用被保護(hù)的電容C、和C、是一致的,這個(gè)保護(hù)對(duì)于Ch來說是必不可少的。

     由于選擇不同的接地方法,實(shí)際上形成了兩類電橋。

     

    高頻西林電橋

        這種電橋通常在中等的電壓下工作,是比較靈活方便的一種電橋;通常電容CN是可變的(在高壓電橋中電容CN通常是固定的),比較容易采用替代法。

        由于不期望電容的影響隨頻率的增加而增加,因此仍可有效使用屏蔽和瓦格納接地線路。

    高分子材料的損耗

    高分子聚合物電介質(zhì)按單體單元偶極矩的大小可分為極性和非極性兩類。一般地,偶極矩在0~0.5D(德拜)范圍內(nèi)的是非極性高聚物;偶極矩在0.5D以上的是極性高聚物。非極性高聚物具有較低的介電常數(shù)和介質(zhì)損耗,其介電常數(shù)約為2,介質(zhì)損耗小于10-4;極性高聚物則具有較高的介電常數(shù)和介質(zhì)損耗,并且極性愈大,這兩個(gè)值愈高。

    高聚物的交聯(lián)通常能阻礙極性基團(tuán)的取向,因此熱固性高聚物的介電常數(shù)和介質(zhì)損耗均隨交聯(lián)度的提高而下降。酚醛樹脂就是典型的例子,雖然這種高聚物的極性很強(qiáng),但只要固化比較完全,它的介質(zhì)損耗就不高。相反,支化使分子鏈間作用力減弱,分子鏈活動(dòng)能力增強(qiáng),介電常數(shù)和介質(zhì)損耗均增大。

    高聚物的凝聚態(tài)結(jié)構(gòu)及力學(xué)狀態(tài)對(duì)介電性景響也很大。結(jié)品能抑制鏈段上偶極矩的取向極化,因此高聚物的介質(zhì)損耗隨結(jié)晶度升高而下降。當(dāng)高聚物結(jié)晶度大于70%時(shí),鏈段上的偶極的極化有時(shí)完全被抑制,介電性能可降至最低值,同樣的道理,非晶態(tài)高聚物在玻璃態(tài)下比在高彈態(tài)下具有更低的介質(zhì)損耗。此外,高聚物中的增塑利、雜質(zhì)等對(duì)介電性能也有很大景響。

    電感:

    線圈號(hào)   測(cè)試頻率   Q值    分布電容p       電感值  

      9         100KHz      98       9.4           25mH

      8         400KHz     138       11.4        4.87mH

      7         400KHz    202       16           0.99mH

      6           1MHz     196       13          252μH

      5           2MHz     198       8.7        49.8μH

      4         4.5MHz    231       7             10μH

      3          12MHz      193     6.9         2.49μH

      2          12MHz      229     6.4        0.508μH            

      1   25MHz,50MHz   233,211    0.9       0.125μH

     

    電橋測(cè)量靈敏度

     電橋在使用過程中,靈敏度直接影響電橋平衡的分辨程度,為保證測(cè)量準(zhǔn)確度,希望電橋靈敏度達(dá)到一定的水平。通常情況下電橋靈敏度與測(cè)量電壓,標(biāo)準(zhǔn)電容量成正比。

        在下面的計(jì)算公式中,用戶可根據(jù)實(shí)際使用情況估算出電橋靈敏度水平,在這個(gè)水平上的電容與介質(zhì)損耗因數(shù)的微小變化都能夠反應(yīng)出來。

              DC/C或Dtgd=Ig/UwCn(1 Rg/R4 Cn/Cx)   

             式中:U為測(cè)量電壓                    伏特(V)

    ω為角頻率2pf=314(50Hz)                            

              Cn標(biāo)準(zhǔn)電容器容量                   皮法(pF)

              Ig通用指另儀的電流5X10-10            安培(A)

              Rg平衡指另儀內(nèi)阻約1500              歐姆(W)

              R4橋臂R4電阻值3183                 歐姆(W)

              Cx被測(cè)試品電容值                   皮法(pF)

     

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