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| 型號分段 | 具體含義說明 |
|---|---|
| 6MBI | 產(chǎn)品類型標識:“6” 代表 6 個功率器件(3 組 IGBT 續(xù)流二極管,組成三相橋),“MBI” 代表 “模塊化 IGBT 橋臂”(Module Bridge IGBT)。 |
| 300 | 額定電流規(guī)格:代表額定集電極電流(Ic)為 300A(在額定結(jié)溫、指定散熱條件下的持續(xù)工作電流)。 |
| U4 | 封裝與拓撲標識:“U” 代表西門康標準 “SKiiP” 封裝(帶壓接端子,便于功率連接),“4” 代表三相橋式拓撲(整流 / 逆變通用)。 |
| 120 | 額定電壓規(guī)格:代表額定集電極 - 發(fā)射極電壓(Uce)為 1200V(IGBT 能承受的最大反向阻斷電壓,適配 380V/400V 工業(yè)電網(wǎng))。 |
| 01 | 版本標識:V01 版本,主要優(yōu)化生產(chǎn)工藝或可靠性,核心電參數(shù)與同型號其他版本一致。 |
| 類別 | 具體參數(shù) |
|---|---|
| 功率拓撲 | 三相橋式結(jié)構(gòu),內(nèi)置 6 個 IGBT 芯片 6 個續(xù)流二極管(每相橋臂 1 個 IGBT 1 個續(xù)流二極管),支持整流或逆變模式。 |
| 電性能參數(shù) | - 額定集電極電流(Ic):300A(Tc=80℃,持續(xù)工作) - 額定阻斷電壓(Uce):1200V - 導通壓降(Uce (sat)):典型值 1.8V(Ic=300A,Tc=25℃) - 開關(guān)頻率:最高 20kHz(適配工業(yè)變頻器常規(guī)載波頻率) |
| 散熱與結(jié)溫 | - 結(jié)溫范圍(Tj):-40℃~150℃(超過 150℃會觸發(fā)熱失效) - 熱阻(Rth (j-c)):典型值 0.12℃/W(IGBT 芯片到模塊殼體的熱阻,需配合低阻散熱器使用) |
| 封裝與接口 | - 封裝類型:SKiiP 3 系列封裝(尺寸約 140mm?100mm?30mm) - 電氣接口:壓接式功率端子(主回路) 插針式控制端子(柵極驅(qū)動信號) - 隔離等級:1500Vrms(功率回路與控制回路之間) |
| 保護特性 | 內(nèi)置續(xù)流二極管(用于逆變時的能量回饋),支持外部過流、過壓、過熱保護(需配合驅(qū)動電路實現(xiàn))。 |
| 類別 | 具體參數(shù) / 特性 |
|---|---|
| 散熱方式 | 強制風冷(需搭配 120mm/24V 直流風扇,風扇接口集成于散熱片側(cè)邊)。 |
| 適配性 | 尺寸與 6MBI300U4-120-01 模塊完全匹配,模塊通過螺絲固定在散熱片凸臺處,接觸面需涂導熱硅脂(導熱系數(shù)≥1.5W/m?K)以降低熱阻。 |
| 散熱能力 | 在環(huán)境溫度 40℃、風扇風速 3m/s 條件下,散熱功率≥250W(對應 IGBT 模塊滿負載時的發(fā)熱功率),可將模塊殼體溫度(Tc)控制在 80℃以內(nèi)。 |
| 結(jié)構(gòu)設(shè)計 | 采用鋁制型材銑削成型,表面陽極氧化處理(增強散熱效率),底部預留安裝孔,可固定在設(shè)備機箱或?qū)к壣稀?/td> |
如需更詳細的技術(shù)資料(如模塊電氣參數(shù)表、散熱計算指南、接線圖),可訪問賽米控(Semikron)官方網(wǎng)站,搜索 “6MBI300U4-120-01” 獲取原廠數(shù)據(jù)手冊。
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