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產品描述

Hakuto 全自動離子蝕刻機 MEL3100 具有良好的均勻性和高蝕刻率, 均勻度 < ?5%, 蝕刻速率 >10 nm/min, 具有高冷卻效果.

所有流程全自動減少人工操作, 從而保證了產品的無差錯、高穩(wěn)定性和高質量.

占用空間小, 容易維護和用戶操作友好.

Hakuto 全自動離子蝕刻機 MEL3100 產品優(yōu)勢：

1. 所有流程全自動減少人工操作, 從而保證了產品的無差錯、高穩(wěn)定性和高質量

2. 盒式房間采用高效微粒過濾器

3. 采用高質量的蝕刻考夫曼離子源, 保證良好的均勻性和高蝕刻率

4. 占用空間小

5. 傳輸系統(tǒng)采用了 SCARA 型機器人

6. 控制單元系統(tǒng)提供操作通過觸摸屏/ 10.4英寸, 數(shù)據(jù)記錄可以顯示在屏幕上

7. 高冷卻效果

8. 良好的重復性和再現(xiàn)性的旋轉和傾斜階段具有良好的可重復性利用脈沖電動機

9. 容易維護這個系統(tǒng)設計重點是容易維護和用戶友好

10. 關鍵部件服務伯東的經銷商是系統(tǒng)中的關鍵部件渦輪泵系統(tǒng)、離子源提供客戶快速響應時間和本地服務能力,減少停機時間的工具

Hakuto 全自動離子蝕刻機 MEL3100 技術參數(shù)：

 Hakuto 全自動離子蝕刻機 MEL3100 技術參數(shù):

Model		MEL3100		Main body
Wafer size		3"～6"		Power Supply	AC200V 3ph 40A
Wafer per batch		1 wafer			*two lines
Cassette	No.	25 wafers		Cooling Water	15 (l/min)
	Q'ty	1pc.			<20℃
Throughput		10 (wafer/hr) *1		CDA	0.5 (MPa)
Pressure	Ultimate	8?10-5 (Pa) *2			>10 (l/min)
	Process	2?10-2 (Pa) *2		N2	0.2 (MPa)
Etching	Rate	>10 (nm/min)@SiO2 *3			>40 (l/min)
	Uniformity	?5%@132mm (6") *3		Ar	0.2 (MPa)
Wafer surface temp.		<100℃ *3			20 (sccm)
Stage rotating		1～20 (rpm) ?5%		He	0.2 (MPa)
Stage tilting		?90??0.5?			20 (sccm)
Dimension W?D?H (mm)	Main body	1,600?2,175?1,900		*need additional utilities   for Dry pump
	Controller	640?610?1,900
	Chiller	555?515?1,025
Weight (kg)	Main body	1,700
	Controller	200
	Chiller	100
*1: Estimated process time 5min
*2: No wafer on stege / process chamber
*3: Depending on process

Hakuto 全自動離子蝕刻機 MEL3100 產品示意圖：