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超高真空磁控濺鍍設(shè)備 UHV Sputter
超高真空環(huán)境的特征為其真空壓力低于 10-8 至 10-12托, 超高真空環(huán)境對于科學(xué)研究非常重要, 因?qū)嶒炌ǔＲ笤谡麄€過程中, 表面應(yīng)保持無污染狀態(tài)并可使用較低能量的電子和離子的實驗技術(shù)使用, 而不會受到氣相散射的干擾并可以在這樣超高真空環(huán)境下使用濺鍍系統(tǒng)以提供高質(zhì)量的薄膜.
上海伯東代理超高真空磁控濺鍍設(shè)備 UHV Sputter 廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體, 納米科技, 太陽能電池,科研等行業(yè), 氧化物, 氮化物和金屬材料的研究等.
上海伯東超高真空磁控濺鍍設(shè)備配置和優(yōu)點
客制化基板尺寸, 最大直徑可達12寸晶圓
薄膜均勻度小于?3％
磁控濺鍍源 (最多8個源), 具有多種可選的靶材尺寸
具有順序操作或共沉積的多個濺鍍源
射頻, 直流或脈沖直流, 分別用于非導(dǎo)電與導(dǎo)電靶材
流量控制器 (最多4條氣體管線)
基板可加熱到 1000?C
基材到靶材之間距為可調(diào)節(jié)的
每個濺鍍源和基板均安裝遮板
| 上海伯東代理超高真空磁控濺鍍設(shè)備針對超高真空和高溫加熱設(shè)計的基板旋轉(zhuǎn)鍍膜機構(gòu), 使用陶瓷培林旋轉(zhuǎn), 并在內(nèi)部做水冷, 來保護機構(gòu)以確保長時間運轉(zhuǎn)的穩(wěn)定. |
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磁控濺鍍設(shè)備基本參數(shù)
系統(tǒng)類型 | Real 超高真空 | 超高真空 | 高真空 | 緊湊型高真空 |
極限真空 | 5X10-10 Torr | 5X10-9 Torr | 3X10-7 Torr | 5X10-7 Torr |
腔室密封 | 全部 CF(烘烤) | 一些密封圈(烘烤) | 全部密封圈 | 全部密封圈 |
電子槍 | 3-4, 2-3 英寸 | 3-4, 2-4 英寸 | 3-4, 2-4 英寸 | 3-4, 2-3 英寸 |
電源 | DC / DC pulse / RF | DC / DC pulse / RF | DC / DC pulse / RF | DC / DC pulse / RF |
Load-lock | 標準(HV) | 標準(HV) | 標準(HV)/可選 | 標準(HV)/可選 |
基板 | 4-6 英寸 | 4-8 英寸 | 4-8 英寸 | 4-6 英寸 |
真空泵 | 低溫泵 | 低溫泵 / 分子泵 | 分子泵 | 分子泵 |
監(jiān)控 | 真空規(guī)和Baratron | 真空規(guī)和Baratron | 真空規(guī)和Baratron | 真空規(guī)和Baratron |
工藝控制 | 部分 / 3位 /手動閘閥 | 部分 / 3位 /手動閘閥 | 部分 / 3位 /手動閘閥 | 部分 / 3位 /手動閘閥 |
氣體 | 氬氣, 氮氣, 氧氣(load-lock可選) | 氬氣, 氮氣, 氧氣(load-lock可選) | 氬氣, 氮氣, 氧氣 | 氬氣, 氮氣, 氧氣 |
射頻偏壓清潔 | 300W RF(清潔和蝕刻) | 300W RF(清潔和蝕刻) | 可選 | 可選 |
離子源 | 100 KRi 離子源 | 100 KRi 離子源 | 可選 | 可選 |
薄膜 | 鈦氮化鈮NbTiN, 鈮 Nb, 鈀Pd等 | 鈦氮化鈮NbTiN, 鈮 Nb, 鈀Pd等 | 二氧化硅 SiO2, 氮化硅 Si3N4, 氧化鋁Al2O3 等 | 二氧化硅 SiO2, 氮化硅 Si3N4, 氧化鋁Al2O3 等 |
腔體
客制化的腔體尺寸取決于基板尺寸和其應(yīng)用
腔體為使用金屬密封圈并可烘烤至 150 oC
具有顯示功能的全量程真空計和用于壓力控制的 Baratron 真空計
腔體的極限真空度約10-10 Torr
選件
可以與傳送腔, 機械手臂和手套箱整合在一起
結(jié)合離子源, 熱蒸發(fā)源, 電子束...
基板可用射頻或直流偏壓
膜厚監(jiān)測儀
射頻等離子清潔用于基材
OES, RGA 或制程監(jiān)控的額外備用端口
應(yīng)用領(lǐng)域
半導(dǎo)體類, 納米科技
產(chǎn)品質(zhì)量控制和質(zhì)量檢查
氧化物, 氮化物和金屬材料的研究
太陽能電池
光學(xué)研究, 材料研究
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