供應(yīng)

二氧化硅 (SiO_2) 薄膜具有硬度高、耐磨性好、絕緣性好等優(yōu)點(diǎn)常作為絕緣層材料在薄膜傳感器生產(chǎn)中得到廣泛應(yīng)用. 某光學(xué)薄膜制造商為了獲得高品質(zhì)的 SiO_2薄膜引進(jìn)伯東 KRI 聚焦型射頻離子源 RFICP 380輔助離子束濺射鍍制SiO_2薄膜.

 

該制造商的離子束濺射鍍膜組成系統(tǒng)主要由濺射室、雙離子源、濺射靶、基片臺(tái)、真空氣路系統(tǒng)以及控制系統(tǒng)等部分組成.

 

離子源濺射離子源采用進(jìn)口的 KRI 聚焦型射頻離子源 RFICP 380, 其參數(shù)如下:

 

伯東 KRI 聚焦型射頻離子源 RFICP 380 技術(shù)參數(shù)：

射頻離子源型號(hào)	RFICP 380
Discharge 陽(yáng)極	射頻 RFICP
離子束流	>1500 mA
離子動(dòng)能	100-1200 V
柵極直徑	30 cm Φ
離子束	聚焦
流量	15-50 sccm
通氣	Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他
典型壓力	< 0.5m Torr
長(zhǎng)度	39 cm
直徑	59 cm
中和器	LFN 2000

 

推薦理由：

1. 聚焦型濺射離子源一方面可以增加束流密度, 提高濺射率

2. 另一方面減小離子束的散射面積, 減少散射的離子濺射在靶材以外的地方引起污染

 

其真空氣路系統(tǒng)真空系統(tǒng)需要沉積前本底真空抽到 8?10-4 Pa, 經(jīng)推薦采用伯東泵組  Hicube 80 Pro, 其技術(shù)參數(shù)如下：

 

分子泵組 Hicube 80 Pro 技術(shù)參數(shù):

進(jìn)氣法蘭	氮?dú)獬樗?br /> N2,l/s	極限真空 hpa	前級(jí)泵 型號(hào)	前級(jí)泵抽速  m?/h	前級(jí)真空 安全閥
DN 40 ISO-KF	35	< 1X10-7	Pascal 2021	18	AVC 025 MA

 

運(yùn)行結(jié)果：

SiO_2薄膜沉積速率比以前更加快速薄膜均勻性明顯提高成膜質(zhì)量高、膜層致密、缺陷少

 

伯東是德國(guó) Pfeiffer 真空泵, 檢漏儀, 質(zhì)譜儀, 真空計(jì), 美國(guó) KRI 考夫曼離子源, 美國(guó)HVA 真空閥門(mén), 美國(guó) inTEST 高低溫沖擊測(cè)試機(jī), 美國(guó) Ambrell 感應(yīng)加熱設(shè)備和日本 NS 離子蝕刻機(jī)等進(jìn)口知名品牌的指定代理商.

 

 

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