供應(yīng)

光學(xué)鍍膜是光學(xué)工業(yè)中最為重要的工藝之一,  其中離子源輔助鍍膜技術(shù)是一種目前技術(shù)先進的光學(xué)鍍膜技術(shù).  離子源輔助鍍膜IAD的作用有：

1. 填充密度提高：折射率提高

2. 波長漂移減少

3. 紅外波段的水氣吸收減少

4. 增強了膜層的結(jié)合力、耐摩擦能力,  機械強度,  提高表面光潔度

5. 控制膜層的應(yīng)力

6. 減少膜層的吸收和散射

7. 提高生產(chǎn)效率

 

離子源工作原理

在真空環(huán)境下,  利用發(fā)射的電子在電場合磁場的相互作用下,  使充入真空室的氣體產(chǎn)生離化,  在電場合磁場的作用下發(fā)射離子. 

 

上海伯東代理美國考夫曼公司霍爾離子源、考夫曼離子源和射頻離子源,  選擇哪類型離子源,  用于輔助鍍膜 IAD呢？今天就跟大家簡單介紹這三種離子源.

 

霍爾離子源

霍爾離子源屬于高濃度低動能型, 其主要構(gòu)成結(jié)構(gòu)有：

1. 燈絲

2. 陽極模組

3. 主要模組

4. 底座(可調(diào)整角度, 高度)

實圖如下:

KRI 霍爾離子源 Gridless eH 系列在售型號及技術(shù)參數(shù):

離子源型號	霍爾離子源 eH200(停產(chǎn))	霍爾離子源 eH400 eH400LE	霍爾離子源 eH1000 eH1000LE eH1000LO	霍爾離子源 eH1000xO2	霍爾離子源 eH2000 eH2000LE eH2000HO	霍爾離子源 eH3000 eH3000LO eH3000MO
Cathode/Neutralizer	F or HC	F or HC	F or HC	F or HC	F or HC HC HC	HC
電壓	30-300V	50-300V 30-150V	50-300V 30-150V 50-300V	100-300V	50-300V 30-150V 50-250V	50-250V 50-300V 50-250V
電流	2A	5A 10A	10A 12A 5A	10A	10A 15A 15A	20A 10A 15A
散射角度	>45	>45	>45	>45	>45	>45
可充其他	Ar, O2, N2, H2, organic precursors, others
氣體流量	1-15sccm	2-25sccm	2-50sccm	2-50sccm	2-75sccm	5-100sccm
高度	2.0“	3.0“	4.0“	4.0“	4.0“	6.0“
直徑	2.5“	3.7“	5.7“	5.7“	5.7“	9.7“
水冷	無	可選	可選	可選	是	可選

 

考夫曼離子源 KDC

考夫曼離子源 KDC屬于高濃度低動能型, 其主要構(gòu)成結(jié)構(gòu)有：

1.    Grid (柵極) 模組

2.    Out shell (外殼) 模組

3.    CathodeCathode moudlemoudle (陰極模組)

4.    Anode with Magnet assembly (陽極與磁力模組)

 

伯東美國 KRI 考夫曼離子源 KDC 技術(shù)參數(shù)：

離子源型號	離子源 KDC 10	離子源 KDC 40	離子源 KDC 75	離子源 KDC 100	離子源 KDC 160
Discharge	DC 熱離子	DC 熱離子	DC 熱離子	DC 熱離子	DC 熱離子
離子束流	>10 mA	>100 mA	>250 mA	>400 mA	>650 mA
離子動能	100-1200 V	100-1200 V	100-1200 V	100-1200 V	100-1200 V
柵極直徑	1 cm Φ	4 cm Φ	7.5 cm Φ	12 cm Φ	16 cm Φ
離子束	聚焦, 平行, 散射
流量	1-5 sccm	2-10 sccm	2-15 sccm	2-20 sccm	2-30 sccm
通氣	Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他
典型壓力	< 0.5m Torr	< 0.5m Torr	< 0.5m Torr	< 0.5m Torr	< 0.5m Torr
長度	11.5 cm	17.1 cm	20.1 cm	23.5 cm	25.2 cm
直徑	4 cm	9 cm	14 cm	19.4 cm	23.2 cm
中和器	燈絲

 

射頻離子源 RFICP

射頻離子源RFICP屬于高濃度低動能型, 其主要構(gòu)成結(jié)構(gòu)有：

1. 底座風(fēng)冷風(fēng)扇

2. Grid (柵極) 模組

3. RF Coil (射頻銅管)

4. 石英杯

5. LFN 2000 (燈絲) 中和器

 

射頻離子源 RFICP 系列技術(shù)參數(shù):

型號	RFICP 40	RFICP 100	RFICP 140	RFICP 220	RFICP 380
Discharge	RFICP 射頻	RFICP 射頻	RFICP 射頻	RFICP 射頻	RFICP 射頻
離子束流	>100 mA	>350 mA	>600 mA	>800 mA	>1500 mA
離子動能	100-1200 V	100-1200 V	100-1200 V	100-1200 V	100-1200 V
柵極直徑	4 cm Φ	10 cm Φ	14 cm Φ	20 cm Φ	30 cm Φ
離子束	聚焦, 平行, 散射
流量	3-10 sccm	5-30 sccm	5-30 sccm	10-40 sccm	15-50 sccm
通氣	Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他
典型壓力	< 0.5m Torr	< 0.5m Torr	< 0.5m Torr	< 0.5m Torr	< 0.5m Torr
長度	12.7 cm	23.5 cm	24.6 cm	30 cm	39 cm
直徑	13.5 cm	19.1 cm	24.6 cm	41 cm	59 cm
中和器	LFN 2000

 

以上是 KRI 霍爾離子源 / 考夫曼離子源 / 射頻離子源簡單介紹.

 

KRI 離子源輔助鍍膜 IAD 時, 霍爾離子源和考夫曼離子源, 哪個好？ 其實從上面的介紹可以看出, 霍爾離子源和考夫曼離子源, 并沒有好與不好之分, 主要是看工藝的需求, 適合的才是最合適的.

 

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