供應(yīng)

      1064nm 窄帶濾光片是在各類玻璃材質(zhì)表面通過特殊的鍍膜工藝而形成的光學(xué)元件, 可以從入射光中選取任意所需求的波長(zhǎng), 半峰值一般在 5nm~50nm之間, 具有波長(zhǎng)定位準(zhǔn)確、透過高、截止深、溫漂小、耐用性好、光潔度好的特點(diǎn), 是激光設(shè)備應(yīng)用中常見的濾光片解決方案.

      1064nm 窄帶濾光片使用在各種特殊的場(chǎng)合和惡劣的氣候環(huán)境, 要求濾光片在苛刻的使用條件下有良好的性能, 故膜層的牢固度和技術(shù)指標(biāo)穩(wěn)定性非常重要. 這些性能包括:大口徑面積內(nèi)膜層均勻性好、透射率要求高、膜層牢固度高、中心波長(zhǎng)穩(wěn)定性好(零漂移)等. 上海伯東某客戶采用采用光學(xué)鍍膜機(jī)加裝美國(guó)原裝進(jìn)口 KRi 大尺寸射頻離子源 RFICP 380輔助沉積鍍制 1064nm 窄帶濾光片激光膜, 以達(dá)到客戶對(duì)于高品質(zhì)鍍膜效果的需求.

KRI 離子源用于鍍制1064nm窄帶濾光片激光膜:

1. 應(yīng)用方向: 離子清洗, 輔助沉積

2. 鍍膜機(jī)型: 1米7 的大型蒸鍍?cè)O(shè)備, 配置美國(guó) KRi 射頻離子源 RFICP 380

3. 測(cè)試環(huán)境: 80C / 80% 濕度, 85C / 95% 濕度, 連續(xù) 1,500 小時(shí)高溫高濕嚴(yán)苛環(huán)境測(cè)試

4. 鍍膜材料: Ti305 Si02、Ta205 Si02

5. 應(yīng)用領(lǐng)域: 激光設(shè)備、生化儀、光學(xué)測(cè)量?jī)x器、酶標(biāo)儀、生物識(shí)別、紅外醫(yī)療儀器、熒光分析儀、醫(yī)療檢測(cè)設(shè)備等其他生物化學(xué)分析儀器

       上海伯東美國(guó)原裝進(jìn)口 KRi 大尺寸射頻離子源 RFICP 380輔助沉積鍍制1064nm窄帶濾光片, 沉積過程穩(wěn)定, 加以合理的膜系設(shè)計(jì), 可以很好地鍍制出透過率高、截止寬度寬、溫度漂移小、膜層致密度高、使用壽命長(zhǎng)的產(chǎn)品.  

       上海伯東美國(guó) KRi 射頻離子源 RFICP 系列, 無需燈絲提供高能量, 低濃度的離子束, 通過柵極控制離子束的能量和方向, 單次工藝時(shí)間更長(zhǎng)! 射頻離子源 RFICP 系列提供完整的系列, 包含離子源本體, 電子供應(yīng)器, 中和器, 自動(dòng)控制器等. 射頻離子源適合多層膜的制備, 離子濺鍍鍍膜和離子蝕刻, 改善靶材的致密性, 光透射, 均勻性, 附著力等.

射頻離子源 RFICP 系列技術(shù)參數(shù):

KRI 射頻離子源其余相關(guān)應(yīng)用：

KRi 射頻離子源 IBSD 離子束濺射沉積應(yīng)用 (hakuto-china.cn)

KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP140 濺射沉積立方氮化硼薄膜 (hakuto-china.cn)

KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP380 濺射制備微晶硅薄膜 (hakuto-china.cn)

KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP220 濺射沉積 Ir 膜 (hakuto-china.cn)

相關(guān)產(chǎn)品:

美國(guó) KRi 射頻離子源 RFICP 380,滿足 300 mm (12英寸)晶圓應(yīng)用. (hakuto-china.cn)

美國(guó) KRI 射頻離子源 RFICP 220 (hakuto-china.cn)

美國(guó) KRI 射頻離子源 RFICP 140 (hakuto-china.cn)

美國(guó) KRI 射頻離子源 RFICP 100 (hakuto-china.cn)

美國(guó) KRI 射頻離子源 RFICP 40 (hakuto-china.cn)

上海伯東同時(shí)提供真空系統(tǒng)所需的渦輪分子泵, 真空規(guī), 高真空插板閥等產(chǎn)品, 協(xié)助客戶生產(chǎn)研發(fā)高質(zhì)量的真空系統(tǒng).
1978 年 Dr. Kaufman 博士在美國(guó)創(chuàng)立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發(fā)生產(chǎn)考夫曼離子源, 霍爾離子源和射頻離子源. 美國(guó)考夫曼離子源歷經(jīng) 40 年改良及發(fā)展已取得多項(xiàng)專利. 離子源廣泛用于離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 領(lǐng)域.

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