供應(yīng)

HCPL100脈沖大電流源15us上升沿瞬變專用電磁脈沖源特點(diǎn)和優(yōu)勢：

50~500us的脈沖寬度連續(xù)可調(diào)；

15us的超快上升沿；

同步測量電壓；

單臺最大可達(dá)1000A輸出；

可極性反轉(zhuǎn)；

0.1%測試精度；詳詢一八一四零六六三四七六；

技術(shù)指標(biāo)
      電流脈寬  50μs~500μs
      脈沖電流上升沿時間 典型時間15us
      輸出脈沖電流 5 ~1000A量程，精度0.1%FS?1A
      輸出負(fù)載電壓要求<12V@1000A
      DUT電壓測量   2獨(dú)立通道
      DUT電壓測量   遠(yuǎn)端測量，峰值電壓測量（取樣點(diǎn)可配置）
      DUT電壓測量   0~0.3V量程，精度0.1%?0.3mV

DUT電壓測量   0~3V量程，精度0.1%?3mV

DUT電壓測量   0~18V量程，精度0.1%?8mV
      電流脈沖輸出間隔時間1秒
      電流脈沖峰值功率<12kW
      支持多設(shè)備并聯(lián)輸出超大電流，如3000A
      支持輸出極性反轉(zhuǎn)
      觸發(fā)信號 支持trigin及trig out
      通訊接口 RS232
      輸入電壓 90~264VAC、50/60Hz
      輸入功率<750W
      尺寸：長516x寬250x高160mm
 

應(yīng)用領(lǐng)域

肖特基二極管

整流橋堆

IGBT器件

IGBT半橋模塊

IPM模塊

普賽斯儀表專業(yè)研究和開發(fā)半導(dǎo)體材料與器件測試的專業(yè)智能裝備，產(chǎn)品覆蓋半導(dǎo)體領(lǐng)域從晶圓到器件生產(chǎn)全產(chǎn)業(yè)鏈。推出基于高精度數(shù)字源表(SMU）的第三代半導(dǎo)體功率器件靜態(tài)參數(shù)測試方案，為SiC和GaN器件提供可靠的測試手段，實(shí)現(xiàn)功率半導(dǎo)體器件靜態(tài)參數(shù)的高精度、高效率測量和分析。如果您對普賽斯功率半導(dǎo)體器件靜態(tài)參數(shù)測試方案和國產(chǎn)化高精度源表感興趣，歡迎隨時聯(lián)系我們