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igbt靜態(tài)參數(shù)測試設備igbt模塊測試儀簡介

普賽斯IGBT測試設備 igbt測試儀，集多種測量和分析功能一體，可以精準測量不同封裝類型功率器件（如MOSFET、BJT、IGBT以及SiC、GaN第三代半導體等）的靜態(tài)參數(shù)，具有高電壓和大電流特性、μΩ級J確測量、納安級電流測量能力等特點。支持高壓模式下測量功率器件結電容，如輸入電容、輸出電容  、反向傳輸電容等。

普賽斯PMST功率器件靜態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)配置有多種測量單元模塊，模塊化的設計測試方法   靈活，方便用戶添加或升級測量模塊，適應測量功率器件不斷變化的需求。詳詢一八一四零六六三四七六；

測試系統(tǒng)組成

普賽斯PMST功率器件靜態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)，主要包括測試主機、測試線、測試夾具、電腦、上位機軟件，以及相關通訊、測試配件等構成。整套系統(tǒng)采用普賽斯自主開發(fā)的測試主機，內(nèi)置多種規(guī)格電壓、電流、電容測量單元模塊。結合專用上位機測試軟件，可根據(jù)測試項目需要，設置不同的電壓、電流等參數(shù)，以滿足不同測試需求。測試數(shù)據(jù)可保存與導出，并可生成I-V以及C-V特性曲線。此外，測試主機可與探針臺搭配使用，實現(xiàn)晶圓級芯片測試；也可與高低溫箱、溫控模塊等搭配使用，滿足高低溫測試需求。

測試主機內(nèi)部采用的電壓、電流測量單元，均采用多量程設計，測試精度為0.1%。其中，柵極-發(fā)射極，最大支持30V@10A脈沖電流輸出與測試，可測試低至皮安級漏電流；集電極-發(fā)射極，最大支持6000A高速脈沖電流，典型上升時間為15μs，且具備電壓高速同步采樣功能；最高支持3500V電壓輸出，且自帶漏電流測量功能。電容特性測試，包括輸入電容，輸出電容，以及反向傳輸電容測試，頻率最高支持1MHz。

系統(tǒng)特點

高電壓：支持高達3.5KV高電壓測試（Z大擴展至10kV）；

大電流：支持高達6KA大電流測試（多模塊并聯(lián)）；

高精度：支持uΩ級導通電阻、納安級漏電流測試；

豐富模板：內(nèi)置豐富的測試模板，方便用戶快速配置測試參數(shù)；

配置導出：支持一鍵導出參數(shù)配置及一鍵啟動測試功能；

數(shù)據(jù)預覽及導出：支持圖形界面以及表格展示測試結果，亦可一鍵導出；

模塊化設計：內(nèi)部采用模塊化結構設計，可自由配置，方便維護；

可拓展：支持拓展溫控功能，方便監(jiān)控系統(tǒng)運行溫度；

可定制開發(fā)：可根據(jù)用戶測試場景定制化開發(fā)；

系統(tǒng)參數(shù)

測試項目

集電極-發(fā)射極電壓Vces，集電極-發(fā)射極擊穿電壓V(br)ces、集電極-發(fā)射極飽和電壓Vcesat

集電極截止電流Ices、柵極漏電流Iges

柵極-發(fā)射極電壓Vges、柵極-發(fā)射極閾值電壓Vge(th)

輸入電容、輸出電容、反向傳輸電容

續(xù)流二極管壓降Vf

I-V特性曲線掃描，C-V特性曲線掃描等

測試夾具

針對市面上不同封裝類型的硅基功率半導體，IGBT、SiC、MOS、GaN等產(chǎn)品，普賽斯提供

整套測試夾具解決方案，可用于T0單管，半橋模組等產(chǎn)品的測試。

武漢普賽斯儀表有限公司，是一家專注于半導體的電性能測試儀表的開發(fā)、生產(chǎn)與銷售的研發(fā)型高新技術企業(yè)。公司以源表為核心產(chǎn)品，專注于第三代半導體測試，提供從材料、晶圓、器件的全系列解決方案。

未來，普賽斯儀表基于國產(chǎn)化高精度數(shù)字源表（SMU）的測試方案，以更優(yōu)的測試能力、更準確的測量結果、更高的可靠性與更全面的測試能力，聯(lián)合更多行業(yè)客戶，共同助力我國第三代半導體行業(yè)高可靠高質(zhì)量發(fā)展。

igbt靜態(tài)參數(shù)測試設備igbt模塊測試儀認準普賽斯儀表咨詢，詳詢一八一四零六六三四七六；