供應(yīng)

工頻介電常數(shù)及介質(zhì)損耗測(cè)試儀 ； ；

特點(diǎn)：

1.優(yōu)化的測(cè)試電路設(shè)計(jì)使殘值更小

2.高頻信號(hào)采用數(shù)碼調(diào)諧器和頻率鎖定技術(shù)

3. LED數(shù)字讀出品質(zhì)因數(shù)，手動(dòng)/自動(dòng)量程切換

4.自動(dòng)掃描被測(cè)件諧振點(diǎn)，標(biāo)頻單鍵設(shè)置和鎖定，大大提高測(cè)試速度

工頻介電常數(shù)及介質(zhì)損耗測(cè)試儀 ； 影響介電性能的因素

 ；下面分別討論頻率、溫度、濕度和電氣強(qiáng)度對(duì)介電性能的影響。

1頻率

 ；因?yàn)橹挥猩贁?shù)材料如石英玻璃、聚苯乙烯或聚乙烯在很寬的頻率范圍內(nèi)它們的。r和tans幾乎是恒定的，且被用作工程電介質(zhì)材料，然而一般的電介質(zhì)材料必須在所使用的頻率下測(cè)量其介質(zhì)損耗因數(shù)和電容率。

 ；電容率和介質(zhì)損耗因數(shù)的變化是由于介質(zhì)極化和電導(dǎo)而產(chǎn)生，最重要的變化是極性分子引起的偶極子極化和材料的不均勻性導(dǎo)致的界面極化所引起的.

2溫度

 ；損耗指數(shù)在一個(gè)頻率下可以出現(xiàn)一個(gè)最大值，這個(gè)頻率值與電介質(zhì)材料的溫度有關(guān)。介質(zhì)損耗因數(shù)和電容率的溫度系數(shù)可以是正的或負(fù)的，這取決于在測(cè)量溫度下的介質(zhì)損耗指數(shù)最大值位置。

3濕度

 ；極化的程度隨水分的吸收量或電介質(zhì)材料表面水膜的形成而增加，其結(jié)果使電容率、介質(zhì)損耗因數(shù)和直流電導(dǎo)率增大。因此試驗(yàn)前和試驗(yàn)時(shí)對(duì)環(huán)境濕度進(jìn)行控制是必不可少的.

 ；注:濕度的顯著影響常常發(fā)生在1MHz以下及微波頻率范圍內(nèi)

4電場(chǎng)強(qiáng)度

 ；存在界面極化時(shí)，自由離子的數(shù)目隨電場(chǎng)強(qiáng)度增大而增加，其損耗指數(shù)最大值的大小和位置也隨此而變。

 ；在較高的頻率下，只要電介質(zhì)中不出現(xiàn)局部放電，電容率和介質(zhì)損耗因數(shù)與電場(chǎng)強(qiáng)度無關(guān)。

電感測(cè)量：

a．測(cè)量范圍：14.5nH~8.14H。

b．分  ； ； ；檔：分七個(gè)量程。

 ； ； ； ； ； ；0.1～1μH，  ； ； ；1～10μH，  ； ； ；10～100μH，  ；

 ； ； ； ； ； ；0.1～lmH，  ； ； ； ；1～10mH，  ； ； ； ；10～100mH，  ； ；100 mH～1H。

 ；附加特性對(duì)比?

?特性?	?電橋法?	?諧振法?
溫度適應(yīng)性	需嚴(yán)格溫控（高精度要求）8	對(duì)溫濕度波動(dòng)相對(duì)不敏感9
操作復(fù)雜度	復(fù)雜（需手動(dòng)調(diào)節(jié)平衡）8	簡(jiǎn)便（自動(dòng)掃頻調(diào)諧）6
多參數(shù)測(cè)量能力	可同步測(cè)Cx、tanδ、Rx6	主要測(cè)Q值和諧振頻率4

標(biāo)準(zhǔn)配置：

高配Q表 一只  ；

試驗(yàn)電極 ；一只（c類）

電感 ； ； ； ； ；一套（9只）

電源線 ； ； ；一條

說明書 ； ； ；一份

合格證 ； ； ；一份

保修卡 ； ； ；一份

頻率適用范圍?

?方法?	?適用頻率范圍?	?原因?
電橋法	20Hz~MHz（中低頻段）	高頻時(shí)雜散電容和殘余電感導(dǎo)致橋路平衡困難，精度下降68。
諧振法	MHz~GHz（高頻段）	電路結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，分布參數(shù)影響小，更適合高頻測(cè)量49。

儀器特點(diǎn)：

☆接線簡(jiǎn)單（正接法兩根線，反接可使用一根線），所有電纜線均有接地屏蔽，所以都能拖地使用，測(cè)量電壓緩升、緩降，全自動(dòng)測(cè)量，結(jié)果直讀，無須換算。

☆多種測(cè)量方式 可選擇正/反接線、內(nèi)/外標(biāo)準(zhǔn)電容器和內(nèi)/外試驗(yàn)電壓進(jìn)行測(cè)量。正接線可測(cè)量高壓介損。

☆ 抗震性能 儀器可承受長(zhǎng)途運(yùn)輸中強(qiáng)烈震動(dòng)顛簸而不會(huì)損壞。

☆ 抗干擾能力強(qiáng) 采用自動(dòng)跟蹤干擾抵償電路，將矢量運(yùn)算法與移相法結(jié)合，有效地消除強(qiáng)電場(chǎng)干擾對(duì)測(cè)量的影響，適用于500kV及其以下電站的現(xiàn)場(chǎng)試驗(yàn)。

☆CVT測(cè)量 獨(dú)特自激法測(cè)量CVT功能，不需外加任何設(shè)備，可完成不可拆頭CVT的測(cè)量。一次接線（三根電纜，不用倒線），一個(gè)測(cè)量過程（大約1分鐘），兩個(gè)最終測(cè)量結(jié)果（C1和C2的介損及電容值）。測(cè)量過程中文顯示，能實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)自激電流值和試驗(yàn)電壓（高壓）值。能消除引線對(duì)測(cè)試的影響，測(cè)量結(jié)果準(zhǔn)確可靠。

☆ 安全措施

（1）高壓保護(hù)：試品短路、擊穿或高壓電流波動(dòng)，能迅速切斷高壓輸出。

（2）CVT保護(hù)：設(shè)定自激電壓的過流點(diǎn)，一旦超出設(shè)置的電流值，儀器自動(dòng)退出測(cè)量，不會(huì)損壞設(shè)備。

（3）接地檢測(cè)：儀器有接地檢測(cè)功能，未接地時(shí)不能升壓測(cè)量。

（4）防誤操作：具備防誤操作設(shè)計(jì)，能判別常見接線錯(cuò)誤，安全報(bào)警。

（5）防“容升”：測(cè)量大容量試品時(shí)會(huì)出現(xiàn)電壓抬高的“容升”效應(yīng)，儀器能自動(dòng)跟蹤輸出電壓，保持試驗(yàn)電壓恒定。

☆VFD顯示 采用新穎的大屏幕VFD點(diǎn)陣顯示器，在嚴(yán)冬和盛夏都能清晰顯示。全中文操作菜單，操作提示各種警告信息，直觀明了，不需查閱說明書即可操作。

☆打印 儀器附有微型打印機(jī)，以中文方式打印輸出測(cè)量結(jié)果及狀態(tài)。

☆RS232儀器具有RS232接口，與計(jì)算機(jī)連接便于數(shù)據(jù)的統(tǒng)計(jì)和處理及保存。

☆可選購(gòu)與計(jì)算機(jī)通信應(yīng)用程序。

測(cè)試注意事項(xiàng)

a．本儀器應(yīng)水平安放；

b．如果你需要較精確地測(cè)量，請(qǐng)接通電源后，預(yù)熱30分鐘；

c．調(diào)節(jié)主調(diào)電容或主調(diào)電容數(shù)碼開關(guān)時(shí)，當(dāng)接近諧振點(diǎn)時(shí)請(qǐng)緩調(diào)；

d．被測(cè)件和測(cè)試電路接線柱間的接線應(yīng)盡量短，足夠粗，并應(yīng)接觸良好、可靠，以減少因接線的電阻和分布參數(shù)所帶來的測(cè)量誤差；

e．被測(cè)件不要直接擱在面板頂部，離頂部一公分以上，必要時(shí)可用低損耗的絕緣材料如聚苯乙烯等做成的襯墊物襯墊；

f．手不得靠近試件，以免人體感應(yīng)影響造成測(cè)量誤差，有屏蔽的試件，屏蔽罩應(yīng)連接在低電位端的接線柱。

 ；

?關(guān)鍵對(duì)比與選擇?

?場(chǎng)景?	?推薦電橋類型?	?優(yōu)勢(shì)?
中低阻值精確測(cè)量（Ω級(jí)）	惠斯通電橋	結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，成本低7
毫歐級(jí)微小電阻檢測(cè)	凱爾文電橋	消除導(dǎo)線電阻誤差7
高頻介質(zhì)損耗分析	西林電橋	支持10kV高壓，抗干擾強(qiáng)

電橋法應(yīng)用案例"。之前的對(duì)話歷史顯示用戶已經(jīng)了解電橋法和高頻介質(zhì)損耗試驗(yàn)儀的區(qū)別，現(xiàn)在轉(zhuǎn)向?qū)嶋H應(yīng)用場(chǎng)景。

首先看搜索結(jié)果中的案例分布。提到朋友用惠斯通電橋檢測(cè)音響老化電阻的實(shí)例，非常生活化；詳細(xì)說明了MEMS壓力傳感器中的惠斯登電橋結(jié)構(gòu)，屬于工業(yè)應(yīng)用；和聚焦教學(xué)場(chǎng)景，提到高考物理的電橋法測(cè)電阻題型；列舉了多個(gè)領(lǐng)域如光學(xué)參數(shù)測(cè)量和化學(xué)反應(yīng)監(jiān)測(cè)；描述了可燃?xì)怏w檢測(cè)和電子秤的應(yīng)變片應(yīng)用；對(duì)比了惠斯通和凱爾文電橋的適用場(chǎng)景；和則專門講西林電橋在絕緣材料tanδ測(cè)量的案例；補(bǔ)充了介電常數(shù)測(cè)量的干擾因素。

試驗(yàn)步驟

1試樣的制備

 ；試樣應(yīng)從固體材料上截取，為了滿足要求，應(yīng)按相關(guān)的標(biāo)準(zhǔn)方法的要求來制備。

 ；應(yīng)精確地測(cè)量厚度，使偏差在士(0. 2%士。.005 mm)以內(nèi)，測(cè)量點(diǎn)應(yīng)均勻地分布在試樣表面。必要時(shí)，應(yīng)測(cè)其有效面積。

2條件處理

 ；條件處理應(yīng)按相關(guān)規(guī)范規(guī)定進(jìn)行。

3測(cè)量

 ；電氣測(cè)量按本標(biāo)準(zhǔn)或所使用的儀器(電橋)制造商推薦的標(biāo)準(zhǔn)及相應(yīng)的方法進(jìn)行。

 ；在1 MHz或更高頻率下，必須減小接線的電感對(duì)測(cè)量結(jié)果的影響。此時(shí)，可采用同軸接線系統(tǒng)(見圖1所示)，當(dāng)用變電抗法測(cè)量時(shí)，應(yīng)提供一個(gè)固定微調(diào)電容器。

宏觀結(jié)構(gòu)不均勾性的介質(zhì)損耗

工程介質(zhì)材料大多數(shù)是不均勻介質(zhì)。例如陶瓷材料就是如此，它通常包含有晶相、玻璃相和氣相，各相在介質(zhì)中是統(tǒng)計(jì)分布口。由于各相的介電性不同，有可能在兩相間積聚了較多的自由電荷使介質(zhì)的電場(chǎng)分布不均勻，造成局部有較高的電場(chǎng)強(qiáng)度而引起了較高的損耗。但作為電介質(zhì)整體來看，整個(gè)電介質(zhì)的介質(zhì)損耗必然介于損耗最大的一相和損耗最小的一相之間。

技術(shù)指標(biāo)

2.1  ；測(cè)量范圍及誤差

 ； ； ； ；本電橋的環(huán)境溫度為20?5℃，相對(duì)濕度為30％－80％條件下，應(yīng)滿足

下列表中的技術(shù)指示要求。

 ；

 ； ； ； ；在Cn＝100pF  ； ； ；R4＝3183.2（W）（即10K/π）時(shí)

 ； ； ； ；測(cè)量項(xiàng)目 ； ； ； ； ； ；測(cè)量范圍 ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ；測(cè)量誤差 ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ；

 ； ； ； ；電容量Cx  ； ； ； ； ； ；40pF--20000pF  ； ； ； ； ；?0.5%  ；Cx?2pF  ； ； ； ；

 ； ； ； ；介質(zhì)損耗tgd  ； ； ； ； ；0～1  ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ；?1.5％tgdx?0.0001

 ； ； ； ；在Cn＝100pF  ； ； ； ； ；R4＝318.3（W）（即1K/π）時(shí)

 ； ； ； ；測(cè)量項(xiàng)目 ； ； ； ； ； ；測(cè)量范圍 ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ；測(cè)量誤差 ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ；

 ； ； ； ；電容量Cx  ； ； ； ； ； ；4pF--2000pF  ； ； ； ； ；?0.5%  ；Cx?3pF  ； ； ； ；

 ； ； ； ；介質(zhì)損耗tgd  ； ； ； ； ；0～0.1  ； ； ； ； ； ； ； ； ；?1.5％tgdx?0.0001

2.2  ；電橋測(cè)量靈敏度

 ； ； ； ；電橋在使用過程中，靈敏度直接影響電橋平衡的分辨程度，為保證測(cè)量準(zhǔn)確度，

希望電橋靈敏度達(dá)到一定的水平。通常情況下電橋靈敏度與測(cè)量電壓，標(biāo)準(zhǔn)電容量

成正比。

 ； ； ； ；在下面的計(jì)算公式中，用戶可根據(jù)實(shí)際使用情況估算出電橋靈敏度水平，在這

個(gè)水平上的電容與介質(zhì)損耗因數(shù)的微小變化都能夠反應(yīng)出來。

 ； ； ； ； ； ； ； ； ； ；DC/C或Dtgd=Ig/UwCn(1 Rg/R4 Cn/Cx)  ； ；

 ； ； ； ； ； ； ； ； ；式中：Ｕ為測(cè)量電壓 ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ；伏特（Ｖ）

ω為角頻率2pf=314(50Hz)  ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ；

 ； ； ； ； ； ； ； ； ； ；Ｃｎ標(biāo)準(zhǔn)電容器容量 ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ；皮法（pＦ）

 ； ； ； ； ； ； ； ； ； ；Ｉｇ通用指另儀的電流5X10-10  ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ；安培（Ａ）

 ； ； ； ； ； ； ； ； ； ；Ｒｇ平衡指另儀內(nèi)阻約1500  ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ；歐姆（W）

 ； ； ； ； ； ； ； ； ； ；Ｒ４橋臂R4電阻值3183  ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ；歐姆（W）

 ； ； ； ； ； ； ； ； ； ；Ｃｘ被測(cè)試品電容值 ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ；皮法（ｐF）

2.3電容量及介損顯示精度：

 ； ； ； ；電容量：?0.5%?tgδx?0.0001。

 ； ； ； ；介 ；損：?0.5％tgdx?1?10-4

2.4輔橋的技術(shù)特性：

 ； ； ； ；工作電壓?12V，50Hz

 ； ； ； ；輸入阻抗>；1012　W

 ； ； ； ；輸出阻抗>；0.6 W

 ； ； ； ；放大倍數(shù)>；0.99

 ； ； ； ；不失真跟蹤電壓 ；0～12V（有效值）

2.5指另裝置的技術(shù)特性：

 ； ； ； ；工作電壓?12V

 ； ； ； ；在50Hz時(shí)電壓靈敏度不低于1X10-6V／格， 電流靈敏度不低于2X10-9A／格

 ； ； ； ；二次諧波 ；減不小于25db

 ； ； ； ；三次諧波 ；減不小于50db

介質(zhì)損耗：絕緣材料在電場(chǎng)作用下，由于介質(zhì)電導(dǎo)和介質(zhì)極化的滯后效應(yīng)，在其內(nèi)部引起的能量損耗。也叫介質(zhì)損失，簡(jiǎn)稱介損。在交變電場(chǎng)作用下，電介質(zhì)內(nèi)流過的電流相量和電壓相量之間的夾角（功率因數(shù)角Φ）的余角δ稱為介質(zhì)損耗角。

損耗因子也指耗損正切，是交流電被轉(zhuǎn)化為熱能的介電損耗（耗散的能量）的量度，一般情況下都期望耗損因子低些好。

概念：

電介質(zhì)在外電場(chǎng)作用下，其內(nèi)部會(huì)有發(fā)熱現(xiàn)象，這說明有部分電能已轉(zhuǎn)化為熱能耗散掉，電介質(zhì)在電場(chǎng)作用下，在單位時(shí)間內(nèi)因發(fā)熱而消耗的能量稱為電介質(zhì)的損耗功率，或簡(jiǎn)稱介質(zhì)損耗（diclectric loss）。介質(zhì)損耗是應(yīng)用于交流電場(chǎng)中電介質(zhì)的重要品質(zhì)指標(biāo)之一。介質(zhì)損耗不但消耗了電能，而且使元件發(fā)熱影響其正常工作。如果介電損耗較大，甚至?xí)鸾橘|(zhì)的過熱而絕緣破壞，所以從這種意義上講，介質(zhì)損耗越小越好。