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硝酸鎵
二、電子工業(yè)中的摻雜與薄膜應(yīng)用半導(dǎo)體摻雜劑:在硅基或化合物半導(dǎo)體(如 GaAs、InP)制造中,硝酸鎵可作為 “p 型摻雜劑”(鎵原子外層 3 個電子,摻入后提供空穴),通過離子注入或擴(kuò)散工藝調(diào)節(jié)半導(dǎo)體的導(dǎo)電類型和載流子濃度,用于制備晶體管、集成電路(IC)的有源區(qū)。透明導(dǎo)電薄膜輔助制備:與氧化銦(In?O?)、氧化鋅(ZnO)復(fù)合時,硝酸鎵提供的 Ga??可抑制薄膜晶粒生長、提升穩(wěn)定性,制備出 Ga 摻雜的 In?O?(IGO)或 Ga-Zn-O(GZO)透明導(dǎo)電薄膜,用于柔性顯示器、可穿戴設(shè)備的電極(比傳統(tǒng) ITO 更耐彎曲)。
分子式:Ga(NO3)3?9H2O ; ;
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