產(chǎn)品

北京介電常數(shù)與介質(zhì)損耗因數(shù)測(cè)試儀 ；  ；帶屏蔽的簡(jiǎn)單西林電橋

 ；橋的B點(diǎn)(在測(cè)量臂邊的電源接線(xiàn)端子)與屏蔽相連并接地。

 ；屏蔽能很好地起到防護(hù)高壓邊影響的作用，但是增加了屏蔽與接到測(cè)量臂接線(xiàn)端M和N的各根導(dǎo)線(xiàn)之間電容.此電容承受跨接測(cè)量臂兩端的電壓 這樣會(huì)引人一個(gè)通常使tans的測(cè)量精度限于0.1%數(shù)量級(jí)的誤差，當(dāng)電容CX和CN不平衡時(shí)尤為顯著。

北京介電常數(shù)與介質(zhì)損耗因數(shù)測(cè)試儀 ；  ；頻率范圍

10kHz～50MHz

頻率分段

(虛擬)

10～99.9999kHz

100～999.999kHz

1～9.99999MHz

10～60MHz  ； ； ； ；

電感：

線(xiàn)圈號(hào) ； ； ；測(cè)試頻率 ； ； ；Q值  ； ； ；分布電容p  ； ； ； ； ； ；電感值  ；

 ； ；9  ； ； ； ； ； ； ； ；100KHz  ； ； ； ； ；98  ； ； ； ； ； ；9.4  ； ； ； ； ； ； ； ； ； ；25mH

 ； ；8  ； ； ； ； ； ； ； ；400KHz  ； ； ； ；138  ； ； ； ； ； ；11.4  ； ； ； ； ； ； ；4.87mH

 ； ；7  ； ； ； ； ； ； ； ；400KHz  ； ； ；202  ； ； ； ； ； ；16  ； ； ； ； ； ； ； ； ； ；0.99mH

 ； ；6  ； ； ； ； ； ； ； ； ； ；1MHz  ； ； ； ；196  ； ； ； ； ； ；13  ； ； ； ； ； ； ； ； ；252μH

 ； ；5  ； ； ； ； ； ； ； ； ； ；2MHz  ； ； ； ；198  ； ； ； ； ； ；8.7  ； ； ； ； ； ； ；49.8μH

 ； ；4  ； ； ； ； ； ； ； ；4.5MHz  ； ； ；231  ； ； ； ； ； ；7  ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ；10μH

 ； ；3  ； ； ； ； ； ； ； ； ；12MHz  ； ； ； ； ；193  ； ； ； ；6.9  ； ； ； ； ； ； ； ；2.49μH

 ； ；2  ； ； ； ； ； ； ； ； ；12MHz  ； ； ； ； ；229  ； ； ； ；6.4  ； ； ； ； ； ； ；0.508μH  ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ；

 ； ；1  ； ；25MHz，50MHz  ； ；233，211  ； ； ；0.9  ； ； ； ； ； ；0.125μH

在原理方面，高頻介質(zhì)損耗測(cè)試儀主要基于電橋法和諧振法。電橋法通過(guò)相位差檢測(cè)技術(shù)，比對(duì)標(biāo)準(zhǔn)電容器與待測(cè)樣品的電流相位差來(lái)計(jì)算復(fù)介電常數(shù)。而諧振法（Q表法）則利用諧振頻率偏移或品質(zhì)因數(shù)變化來(lái)評(píng)估介電特性。對(duì)于材料介電性能，介電常數(shù)反映材料儲(chǔ)存電能的能力，介質(zhì)損耗角正切值表示能量損耗比例。高頻測(cè)試儀通常采用三電極結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)以消除邊緣效應(yīng)誤差，并通過(guò)數(shù)字化實(shí)時(shí)采集進(jìn)行矢量運(yùn)算。

用戶(hù)可能從事電力設(shè)備檢測(cè)或材料研究工作，需要這些專(zhuān)業(yè)參數(shù)來(lái)評(píng)估絕緣材料的高頻特性。高頻介質(zhì)損耗測(cè)試儀的技術(shù)指標(biāo)對(duì)材料研發(fā)和電力設(shè)備安全至關(guān)重要，特別是tanδ值過(guò)高會(huì)導(dǎo)致絕緣層溫升加速老化。

GB/T 1409-2006標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了在15 Hz-300 MHz的頻率范圍內(nèi)測(cè)量電容率、介質(zhì)損耗因數(shù)的方法，并由此計(jì)算某些數(shù)值 ，如損耗指數(shù)。本標(biāo)準(zhǔn)中所敘述的某些方法，也能用于其他頻率下測(cè)量.

 ； ； ； ；本標(biāo)準(zhǔn)適用于測(cè)量液體、易熔材料以及固體材料。測(cè)試結(jié)果與某些物理?xiàng)l件有關(guān)，例如頻率、溫度、

濕度，在特殊情況下也與電場(chǎng)強(qiáng)度有關(guān)有時(shí)在超過(guò)1 000 V的電壓下試驗(yàn)，則會(huì)引起一些與電容率和介質(zhì)損耗因數(shù)無(wú)關(guān)的效應(yīng)，對(duì)此不予論述.

介電常數(shù)，用于衡量絕緣體儲(chǔ)存電能的性能.它是兩塊金屬板之間以絕緣材料為介質(zhì)時(shí)的電容量與同樣的兩塊板之間以空氣為介質(zhì)或真空時(shí)的電容量之比。介電常數(shù)代表了電介質(zhì)的極化程度，也就是對(duì)電荷的束縛能力，介電常數(shù)越大，對(duì)電荷的束縛能力越強(qiáng)。電容器兩極板之間填充的介質(zhì)對(duì)電容的容量有影響，而同一種介質(zhì)的影響是相同的，介質(zhì)不同，介電常數(shù)不同

玻璃的損耗

復(fù)雜玻璃中的介質(zhì)損耗主要包括三個(gè)部分：電導(dǎo)耗、松弛損耗和結(jié)構(gòu)損耗。哪一種損耗占優(yōu)勢(shì)，取決于外界因素溫度和電場(chǎng)頻率。高頻和高溫下，電導(dǎo)損耗占優(yōu)勢(shì)：在高頻下，主要的是由弱聯(lián)系離子在有限范圍內(nèi)移動(dòng)造成的松弛損耗：在高頻和低溫下，主要是結(jié)構(gòu)損耗，其損耗機(jī)理目前還不清楚，可能與結(jié)構(gòu)的緊密程度有關(guān)。般來(lái)說(shuō)，簡(jiǎn)單玻璃的損耗是很小的，這是因?yàn)楹?jiǎn)單玻璃中的“分子”接近規(guī)則的排列，結(jié)構(gòu)緊密，沒(méi)有弱聯(lián)系的松弛離子。在純玻璃中加人堿金屬化物后。介質(zhì)損耗大大增加，并且隨著加人量的增大按指數(shù)規(guī)律增大。這是因?yàn)閴A性氧化物進(jìn)人玻璃的點(diǎn)陣結(jié)構(gòu)后，使離子所在處點(diǎn)陣受到破壞，結(jié)構(gòu)變得松散，離子活動(dòng)性增大，造成電導(dǎo)損耗和松弛損耗增加。

陶瓷材料的損耗

陶瓷材料的介質(zhì)損耗主要來(lái)源于電導(dǎo)損耗、松弛質(zhì)點(diǎn)的極化損耗和結(jié)構(gòu)損耗。此外，表面氣孔吸附水分、油污及灰塵等造成的表面電導(dǎo)也會(huì)引起較大的損耗。

在結(jié)構(gòu)緊密的陶瓷中，介質(zhì)損耗主要來(lái)源于玻璃相。為了改善某些陶瓷的工藝性能，往往在配方中引人此易熔物質(zhì)（如黏土），形成玻璃相，這樣就使損耗增大。如滑石瓷、尖晶石瓷隨黏土含量增大，介質(zhì)損耗也增大。因面一般高頻瓷，如氧化鋁瓷、金紅石等很少含有玻璃相。大多數(shù)電陶瓷的離子松弛極化損耗較大，主要的原因是：主晶相結(jié)構(gòu)松散，生成了缺固濟(jì)體、多品型轉(zhuǎn)變等。

技術(shù)參數(shù)：

1．Q值測(cè)量

a．Q值測(cè)量范圍：2～1023。

b．Q值量程分檔：30、100、300、1000、自動(dòng)換檔或手動(dòng)換檔。

c．標(biāo)稱(chēng)誤差

 ； ； ； ； ；頻率范圍（100kHz～10MHz）： 頻率范圍（10MHz～160MHz）：

 ； ； ； ； ；固有誤差：≤5％?滿(mǎn)度值的2%固有誤差：≤6％?滿(mǎn)度值的2%

 ； ； ； ； ；工作誤差：≤7％?滿(mǎn)度值的2%工作誤差：≤8％?滿(mǎn)度值的2%

2．電感測(cè)量范圍：4.5nH~7.9mH

3．電容測(cè)量：1~205

 ； ； ； ； ；主電容調(diào)節(jié)范圍：18～220pF

 ； ； ； ； ；準(zhǔn)確度：150pF以下?1.5pF；150pF以上?1%

 ； ； ； ； ；注：大于直接測(cè)量范圍的電容測(cè)量見(jiàn)后頁(yè)使用說(shuō)明

4.  ；信號(hào)源頻率覆蓋范圍

 ； ； ； ； ；頻率范圍CH1:0.1～0.999999MHz， CH2: 1～9.99999MHz，

 ； ； ； ； ；CH3:10～99.9999MHz， CH1 :100～160MHz，

5．Q合格指示預(yù)置功能:  ； ； ； ； ；預(yù)置范圍：5～1000。

6．B-測(cè)試儀正常工作條件

a.  ；環(huán)境溫度：0℃～ 40℃；

b．相對(duì)濕度：<；80％；

c．電源：220V?22V，50Hz?2.5Hz。

7．其他

a．消耗功率：約25W；

b．凈重：約7kg；

c.外型尺寸：（l?b?h）mm：380?132?280。

介質(zhì)損耗（dielectric loss）指的是絕緣材料在電場(chǎng)作用下，由于介質(zhì)電導(dǎo)和介質(zhì)極化的滯后效應(yīng)，在其內(nèi)部引起的能量損耗。也叫介質(zhì)損失，簡(jiǎn)稱(chēng)介損。

介質(zhì)損耗因數(shù)（dielectric loss factor）指的是衡量介質(zhì)損耗程度的參數(shù)。

 ； ；電介質(zhì)的用途

 ；電介質(zhì)一般被用在兩個(gè)不同的方面:

 ；用作電氣回路元件的支撐，并且使元件對(duì)地絕緣及元件之間相互絕緣；

 ；用作電容器介質(zhì)

主要技術(shù)特性：

介質(zhì)損耗和介電常數(shù)是各種電瓷、裝置瓷、電容器等陶瓷，還有復(fù)合材料等的一項(xiàng)重要的物理性質(zhì)，通過(guò)測(cè)定介質(zhì)損耗角正切tanδ及介電常數(shù)(ε)，可進(jìn)一步了解影響介質(zhì)損耗和介電常數(shù)的各種因素，為提高材料的性能提供依據(jù)；儀器的基本原理是采用高頻諧振法，并提供了，通用、多用途、多量程的阻抗測(cè)試。它以單片計(jì)算機(jī)作為儀器的控制，測(cè)量核心采用了頻率數(shù)字鎖定，標(biāo)準(zhǔn)頻率測(cè)試點(diǎn)自動(dòng)設(shè)定，諧振點(diǎn)自動(dòng)搜索，Q值量程自動(dòng)轉(zhuǎn)換，數(shù)值顯示等新技術(shù)，改進(jìn)了調(diào)諧回路，使得調(diào)諧測(cè)試回路的殘余電感減至最低，并保留了原Q表中自動(dòng)穩(wěn)幅等技術(shù)，使得新儀器在使用時(shí)更為方便，測(cè)量值更為精確。儀器能在較高的測(cè)試頻率條件下，測(cè)量高頻電感或諧振回路的Q值，電感器的電感量和分布電容量，電容器的電容量和損耗角正切值，電工材料的高頻介質(zhì)損耗，高頻回路有效并聯(lián)及串聯(lián)電阻，傳輸線(xiàn)的特性阻抗等。

高分子材料的損耗

高分子聚合物電介質(zhì)按單體單元偶極矩的大小可分為極性和非極性?xún)深?lèi)。一般地，偶極矩在0~0.5D（德拜）范圍內(nèi)的是非極性高聚物；偶極矩在0.5D以上的是極性高聚物。非極性高聚物具有較低的介電常數(shù)和介質(zhì)損耗，其介電常數(shù)約為2，介質(zhì)損耗小于10-4；極性高聚物則具有較高的介電常數(shù)和介質(zhì)損耗，并且極性愈大，這兩個(gè)值愈高。

高聚物的交聯(lián)通常能阻礙極性基團(tuán)的取向，因此熱固性高聚物的介電常數(shù)和介質(zhì)損耗均隨交聯(lián)度的提高而下降。酚醛樹(shù)脂就是典型的例子，雖然這種高聚物的極性很強(qiáng)，但只要固化比較完全，它的介質(zhì)損耗就不高。相反，支化使分子鏈間作用力減弱，分子鏈活動(dòng)能力增強(qiáng)，介電常數(shù)和介質(zhì)損耗均增大。

高聚物的凝聚態(tài)結(jié)構(gòu)及力學(xué)狀態(tài)對(duì)介電性景響也很大。結(jié)品能抑制鏈段上偶極矩的取向極化，因此高聚物的介質(zhì)損耗隨結(jié)晶度升高而下降。當(dāng)高聚物結(jié)晶度大于70%時(shí)，鏈段上的偶極的極化有時(shí)完全被抑制，介電性能可降至最低值，同樣的道理，非晶態(tài)高聚物在玻璃態(tài)下比在高彈態(tài)下具有更低的介質(zhì)損耗。此外，高聚物中的增塑利、雜質(zhì)等對(duì)介電性能也有很大景響。

附加特性對(duì)比?

?特性?	?電橋法?	?諧振法?
溫度適應(yīng)性	需嚴(yán)格溫控（高精度要求）	對(duì)溫濕度波動(dòng)相對(duì)不敏感
操作復(fù)雜度	復(fù)雜（需手動(dòng)調(diào)節(jié)平衡）	簡(jiǎn)便（自動(dòng)掃頻調(diào)諧）
多參數(shù)測(cè)量能力	可同步測(cè)Cx、tan、Rx	主要測(cè)Q值和諧振頻率

 ；頻率適用范圍?

?方法?	?適用頻率范圍?	?原因?
電橋法	20Hz~MHz（中低頻段）	高頻時(shí)雜散電容和殘余電感導(dǎo)致橋路平衡困難，精度下降。
諧振法	MHz~GHz（高頻段）	電路結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，分布參數(shù)影響小，更適合高頻測(cè)量。

宏觀結(jié)構(gòu)不均勾性的介質(zhì)損耗

工程介質(zhì)材料大多數(shù)是不均勻介質(zhì)。例如陶瓷材料就是如此，它通常包含有晶相、玻璃相和氣相，各相在介質(zhì)中是統(tǒng)計(jì)分布口。由于各相的介電性不同，有可能在兩相間積聚了較多的自由電荷使介質(zhì)的電場(chǎng)分布不均勻，造成局部有較高的電場(chǎng)強(qiáng)度而引起了較高的損耗。但作為電介質(zhì)整體來(lái)看，整個(gè)電介質(zhì)的介質(zhì)損耗必然介于損耗最大的一相和損耗最小的一相之間。

工作原理差異?

?電橋法?

? ；基于?橋路平衡原理?：將待測(cè)樣品與標(biāo)準(zhǔn)電容器/電阻構(gòu)成電橋電路（如西林電橋），通過(guò)調(diào)節(jié)橋臂元件使電橋平衡，計(jì)算樣品的電容（Cx）和損耗角正切。

? ；關(guān)鍵參數(shù)檢測(cè)：測(cè)量?電壓與電流的相位差?，通過(guò)相位差直接計(jì)算。

?諧振法?

? ；基于?LC諧振特性?：將樣品置于諧振回路中，通過(guò)測(cè)量?諧振頻率偏移（Δf）? 或?品質(zhì)因數(shù)（Q值）的變化?，間接推算。

常用替代法：如并聯(lián)替代法消除分布電容誤差，通過(guò)兩次調(diào)諧計(jì)算。

主要產(chǎn)品有：

拉力試驗(yàn)機(jī)， ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ；塑料球壓痕硬度計(jì)

維卡熱變形試驗(yàn)儀， ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ；體積表面電阻率測(cè)試儀

海綿泡沫落球回彈試驗(yàn)機(jī)， ； ； ； ； ； ； ； ； ；海綿泡沫拉伸強(qiáng)度試驗(yàn)機(jī)

耐壓試驗(yàn)機(jī)， ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ；介電常數(shù)測(cè)試儀

海綿泡沫壓陷硬度測(cè)驗(yàn)儀， ； ； ； ； ； ； ； ； ；介質(zhì)損耗測(cè)試儀

海綿泡沫疲勞壓陷試驗(yàn)機(jī)， ； ； ； ； ； ； ； ； ；薄膜沖擊試驗(yàn)機(jī)

熔融指數(shù)儀， ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ；無(wú)轉(zhuǎn)子硫化儀

電壓擊穿試驗(yàn)儀， ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ；摩擦系數(shù)儀

低溫脆性沖擊試驗(yàn)儀 ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ；阿克隆磨耗試驗(yàn)機(jī)等。

安全注意事項(xiàng)：開(kāi)機(jī)之前，敬請(qǐng)仔細(xì)閱讀本使用指南，以防止出現(xiàn)對(duì)操作人員的意外傷害或?qū)x器的損壞等的事件。操作前，請(qǐng)閱讀“安裝與設(shè)置”，保證對(duì)儀器各部件的正確安裝與連接。在第一次操作前，務(wù)必請(qǐng)有操作經(jīng)驗(yàn)的人員進(jìn)行指導(dǎo)，防止誤操作造成意外事件的發(fā)生。電擊危險(xiǎn)： 確保在安裝或維修該儀器之前使所有導(dǎo)線(xiàn)斷電，防止在帶電情況下，對(duì)人員或設(shè)備造成傷害。