產(chǎn)品

高頻Q表介電常數(shù)測試儀高頻Q表能在較高的測試頻率條件下，測量高頻電感或諧振回路的Q值，電感器的電感量和分布電容量，電容器的電容量和損耗角正切值，電工材料的高頻介質(zhì)損耗，高頻回路有效并聯(lián)及串聯(lián)電阻，傳輸線的特性阻抗等。該儀器廣泛地用于科研機關(guān)、學校、工廠等單位。

高頻Q表介電常數(shù)測試儀 ； 工作特性

 ； ； 1．Q值測量

 ； ；a．Q值測量范圍：2～1023；

 ； ；b．Q值量程分檔：30、100、300、1000、自動換檔或手動換檔；

c．標稱誤差

為什么介電常數(shù)越大，絕緣能力越強 .

因為物質(zhì)的介電常數(shù)和頻率相關(guān)，通常稱為介電系數(shù)。

介電常數(shù)又叫介質(zhì)常數(shù)，介電系數(shù)或電容率，它是表示絕緣能力特性的一個系數(shù)。所以理論上來說，介電常數(shù)越大，絕緣性能就越好。

注：這個性質(zhì)不是絕對成立的。

對于絕緣性不太好的材料(就是說不擊穿的情況下，也可以有一定的導電性)和絕緣性很好的材料比較，這個結(jié)論是成立的。

但對于兩個絕緣體就不一定了。

介電常數(shù)反映的是材料中電子的局域(local)特性，導電性是電子的全局(global)特征.不是一回事情的。

信號源頻率覆蓋范圍

頻率范圍

10kHz～50MHz

頻率分段

(虛擬)

10～99.9999kHz

100～999.999kHz

1～9.99999MHz

10～60MHz

 ；

測量范圍及誤差

 ； ； ； ；本電橋的環(huán)境溫度為20?5℃，相對濕度為30％－80％條件下，應滿足

下列表中的技術(shù)指示要求。

 ； ； ； ；在Cn＝100pF  ； ； ；R4＝3183.2（W）（即10K/π）時

 ； ； ； ；測量項目 ； ； ； ； ； ；測量范圍 ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ；測量誤差 ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ；

 ； ； ； ；電容量Cx  ； ； ； ； ； ；40pF--20000pF  ； ； ； ； ；?0.5%  ；Cx?2pF  ； ； ； ；

 ； ； ； ；介質(zhì)損耗tgd  ； ； ； ； ；0～1  ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ；?1.5％tgdx?0.0001

 ； ； ； ；在Cn＝100pF  ； ； ； ； ；R4＝318.3（W）（即1K/π）時

 ； ； ； ；測量項目 ； ； ； ； ； ；測量范圍 ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ；測量誤差 ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ；

 ； ； ； ；電容量Cx  ； ； ； ； ； ；4pF--2000pF  ； ； ； ； ；?0.5%  ；Cx?3pF  ； ； ； ；

 ； ； ； ；介質(zhì)損耗tgd  ； ； ； ； ；0～0.1  ； ； ； ； ； ； ； ； ；?1.5％tgdx?0.0001

 ；

測試注意事項

a．本儀器應水平安放；

b．如果你需要較精確地測量，請接通電源后，預熱30分鐘；

c．調(diào)節(jié)主調(diào)電容或主調(diào)電容數(shù)碼開關(guān)時，當接近諧振點時請緩調(diào)；

d．被測件和測試電路接線柱間的接線應盡量短，足夠粗，并應接觸良好、可靠，以減少因接線的電阻和分布參數(shù)所帶來的測量誤差；

e．被測件不要直接擱在面板頂部，離頂部一公分以上，必要時可用低損耗的絕緣材料如聚苯乙烯等做成的襯墊物襯墊；

f．手不得靠近試件，以免人體感應影響造成測量誤差，有屏蔽的試件，屏蔽罩應連接在低電位端的接線柱。

測試注意事項

a．本儀器應水平安放；

b．如果你需要較精確地測量，請接通電源后，預熱30分鐘；

c．調(diào)節(jié)主調(diào)電容或主調(diào)電容數(shù)碼開關(guān)時，當接近諧振點時請緩調(diào)；

d．被測件和測試電路接線柱間的接線應盡量短，足夠粗，并應接觸良好、可靠，以減少因接線的電阻和分布參數(shù)所帶來的測量誤差；

e．被測件不要直接擱在面板頂部，離頂部一公分以上，必要時可用低損耗的絕緣材料如聚苯乙烯等做成的襯墊物襯墊；

f．手不得靠近試件，以免人體感應影響造成測量誤差，有屏蔽的試件，屏蔽罩應連接在低電位端的接線柱。

 ；

00001. ；?壓力傳感器（MEMS技術(shù)）?

? ；?原理?：硅薄膜上集成惠斯通電橋，受壓時壓敏電阻變化打破電橋平衡。

? ；?應用?：汽車胎壓監(jiān)測、工業(yè)過程控制，實時輸出壓力信號2。

00002. ；?可燃氣體濃度檢測?

? ；?原理?：催化燃燒式傳感器中電橋一臂涂催化劑，可燃氣體燃燒致電阻變化，電橋失衡輸出信號。

? ；?應用?：煤礦、化工廠安全預警系統(tǒng)6。

00003. ；?絕緣材料老化診斷?

? ；?工具?：西林電橋測量介質(zhì)損耗角正切（tanδ）。

? ；?場景?：高壓變壓器油紙絕緣狀態(tài)評估，tanδ升高提示受潮或劣化。

典型操作步驟（以諧振法為例）

. 初始化 . ：開機后設(shè)置目標頻率（如13.56MHz），夾具清零。

. 樣品放置 . ：確保樣品面積大于電極，避免空氣間隙影響精度。

. 諧振調(diào)節(jié) . ：旋轉(zhuǎn)電容旋鈕至Q值峰值，系統(tǒng)自動計算介電常數(shù)。

. 數(shù)據(jù)記錄 . ：軟件直接輸出ε和tanδ，支持溫度/偏壓等參數(shù)聯(lián)動分析。

應用領(lǐng)域

. 電子制造 . ：評估PCB基板、電容介質(zhì)材料的高頻性能。

. 新材料研發(fā) . ：優(yōu)化高分子、納米材料的極化特性。

. 質(zhì)量控制 . ：檢測陶瓷、云母等絕緣材料的批次一致性

電感：

線圈號 ； ； ；測試頻率 ； ； ；Q值  ； ； ；分布電容p  ； ； ； ； ； ；電感值  ；

 ； ；9  ； ； ； ； ； ； ； ；100KHz  ； ； ； ； ；98  ； ； ； ； ； ；9.4  ； ； ； ； ； ； ； ； ； ；25mH

 ； ；8  ； ； ； ； ； ； ； ；400KHz  ； ； ； ；138  ； ； ； ； ； ；11.4  ； ； ； ； ； ； ；4.87mH

 ； ；7  ； ； ； ； ； ； ； ；400KHz  ； ； ；202  ； ； ； ； ； ；16  ； ； ； ； ； ； ； ； ； ；0.99mH

 ； ；6  ； ； ； ； ； ； ； ； ； ；1MHz  ； ； ； ；196  ； ； ； ； ； ；13  ； ； ； ； ； ； ； ； ；252μH

 ； ；5  ； ； ； ； ； ； ； ； ； ；2MHz  ； ； ； ；198  ； ； ； ； ； ；8.7  ； ； ； ； ； ； ；49.8μH

 ； ；4  ； ； ； ； ； ； ； ；4.5MHz  ； ； ；231  ； ； ； ； ； ；7  ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ；10μH

 ； ；3  ； ； ； ； ； ； ； ； ；12MHz  ； ； ； ； ；193  ； ； ； ；6.9  ； ； ； ； ； ； ； ；2.49μH

 ； ；2  ； ； ； ； ； ； ； ； ；12MHz  ； ； ； ； ；229  ； ； ； ；6.4  ； ； ； ； ； ； ；0.508μH  ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ；

 ； ；1  ； ；25MHz，50MHz  ； ；233，211  ； ； ；0.9  ； ； ； ； ； ；0.125μH

介質(zhì)損耗：絕緣材料在電場作用下，由于介質(zhì)電導和介質(zhì)極化的滯后效應，在其內(nèi)部引起的能量損耗。也叫介質(zhì)損失，簡稱介損。在交變電場作用下，電介質(zhì)內(nèi)流過的電流相量和電壓相量之間的夾角（功率因數(shù)角Φ）的余角δ稱為介質(zhì)損耗角。

損耗因子也指耗損正切，是交流電被轉(zhuǎn)化為熱能的介電損耗（耗散的能量）的量度，一般情況下都期望耗損因子低些好。

玻璃的損耗

復雜玻璃中的介質(zhì)損耗主要包括三個部分：電導耗、松弛損耗和結(jié)構(gòu)損耗。哪一種損耗占優(yōu)勢，取決于外界因素溫度和電場頻率。高頻和高溫下，電導損耗占優(yōu)勢：在高頻下，主要的是由弱聯(lián)系離子在有限范圍內(nèi)移動造成的松弛損耗：在高頻和低溫下，主要是結(jié)構(gòu)損耗，其損耗機理目前還不清楚，可能與結(jié)構(gòu)的緊密程度有關(guān)。般來說，簡單玻璃的損耗是很小的，這是因為簡單玻璃中的“分子”接近規(guī)則的排列，結(jié)構(gòu)緊密，沒有弱聯(lián)系的松弛離子。在純玻璃中加人堿金屬化物后。介質(zhì)損耗大大增加，并且隨著加人量的增大按指數(shù)規(guī)律增大。這是因為堿性氧化物進人玻璃的點陣結(jié)構(gòu)后，使離子所在處點陣受到破壞，結(jié)構(gòu)變得松散，離子活動性增大，造成電導損耗和松弛損耗增加。

介質(zhì)損耗（dielectric loss）指的是絕緣材料在電場作用下，由于介質(zhì)電導和介質(zhì)極化的滯后效應，在其內(nèi)部引起的能量損耗。也叫介質(zhì)損失，簡稱介損。

介質(zhì)損耗因數(shù)（dielectric loss factor）指的是衡量介質(zhì)損耗程度的參數(shù)。

離子晶體的損耗

離子晶體的介質(zhì)損耗與其結(jié)構(gòu)的緊密程度有關(guān)。

緊密結(jié)構(gòu)的晶體離子都排列很有規(guī)則，鍵強度比較大，如α-Al2O3、鎂橄欖石晶體等，在外電場作用下很難發(fā)生離子松弛極化，只有電子式和離子式的位移極化，所以無極化損耗，僅有的一點損耗是由漏導引起的（包括本質(zhì)電導和少量雜質(zhì)引起的雜質(zhì)電導）。這類晶體的介質(zhì)損耗功率與頻率無關(guān)，損耗角正切隨頻率的升高而降低。因此，以這類晶體為主晶相的陶瓷往往用在高頻場合。如剛玉瓷、滑石瓷、金紅石瓷、鎂橄欖石瓷等

結(jié)構(gòu)松散的離子晶體，如莫來石（3Al2O3?2SiO2）、董青石（2MgO?2Al2O3?5SiO2）等，其內(nèi)部有較大的空隙或晶格畸變，含有缺陷和較多的雜質(zhì)，離子的活動范圍擴大。在外電場作用下，晶體中的弱聯(lián)系離子有可能貫穿電極運動，產(chǎn)生電導打耗。弱聯(lián)系離子也可能在一定范圍內(nèi)來回運動，形成熱離子松弛，出現(xiàn)極化損耗。所以這類晶體的介質(zhì)損耗較大，由這類品體作主晶相的陶瓷材料不適用于高頻，只能應用于低頻場合。