產(chǎn)品

國產(chǎn)高頻Q表介電常數(shù)測量儀 ； 玻璃的損耗

復雜玻璃中的介質(zhì)損耗主要包括三個部分：電導耗、松弛損耗和結(jié)構(gòu)損耗。哪一種損耗占優(yōu)勢，取決于外界因素溫度和電場頻率。高頻和高溫下，電導損耗占優(yōu)勢：在高頻下，主要的是由弱聯(lián)系離子在有限范圍內(nèi)移動造成的松弛損耗：在高頻和低溫下，主要是結(jié)構(gòu)損耗，其損耗機理目前還不清楚，可能與結(jié)構(gòu)的緊密程度有關(guān)。般來說，簡單玻璃的損耗是很小的，這是因為簡單玻璃中的“分子”接近規(guī)則的排列，結(jié)構(gòu)緊密，沒有弱聯(lián)系的松弛離子。在純玻璃中加人堿金屬化物后。介質(zhì)損耗大大增加，并且隨著加人量的增大按指數(shù)規(guī)律增大。這是因為堿性氧化物進人玻璃的點陣結(jié)構(gòu)后，使離子所在處點陣受到破壞，結(jié)構(gòu)變得松散，離子活動性增大，造成電導損耗和松弛損耗增加。

國產(chǎn)高頻Q表介電常數(shù)測量儀 ； 日常生活應用?

00001. ；?音響設備維修?

? ；?案例?：檢測老化電阻阻值，精準替換損壞元件恢復音質(zhì)1。

00002. ；?電子秤應變檢測?

? ；?原理?：應變片構(gòu)成惠斯通電橋一臂，形變導致電阻變化，輸出重量信號。

? ；?場景?：超市計價秤、工廠物料配比系統(tǒng)。

電容測量

	A	C
直接測量范圍	1～460p	1～205p
主電容調(diào)節(jié)范圍	40～500pF	18～220pF
準確度	150pF以下?1.5pF； 150pF以上?1%	150pF以下?1.5pF 150pF以上?1%

 ； ； ；注：大于直接測量范圍的電容測量見使用方法。

工作條件

 ； ； a. ；環(huán)境溫度：0℃～ 40℃；

 ； ； ；b．相對濕度：<；80％；

 ； ； ；c．電源：220V?22V，50Hz?2.5Hz。

使用方法

高頻Q表是多用途的阻抗測量儀器，為了提高測量精度，除了使Q表測試回路本身殘余參量盡可能地小，使耦合回路的頻響盡可能地好之外，還要掌握正確的測試方法和殘余參數(shù)修正方法。

1．測試注意事項

a．本儀器應水平安放；

b．如果你需要較精確地測量，請接通電源后，預熱30分鐘；

c．調(diào)節(jié)主調(diào)電容或主調(diào)電容數(shù)碼開關(guān)時，當接近諧振點時請緩調(diào)；

d．被測件和測試電路接線柱間的接線應盡量短，足夠粗，并應接觸良好、可靠，以減少因接線的電阻和分布參數(shù)所帶來的測量誤差；

e．被測件不要直接擱在面板頂部，離頂部一公分以上，必要時可用低損耗的絕緣材料如聚苯乙烯等做成的襯墊物襯墊；

f．手不得靠近試件，以免人體感應影響造成測量誤差，有屏蔽的試件，屏蔽罩應連接在低電位端的接線柱。

2．高頻線圈的Q值測量（基本測量法）

電感：

線圈號 ； ； ；測試頻率 ； ； ；Q值  ； ； ；分布電容p  ； ； ； ； ； ；電感值  ；

 ； ；9  ； ； ； ； ； ； ； ；100KHz  ； ； ； ； ；98  ； ； ； ； ； ；9.4  ； ； ； ； ； ； ； ； ； ；25mH

 ； ；8  ； ； ； ； ； ； ； ；400KHz  ； ； ； ；138  ； ； ； ； ； ；11.4  ； ； ； ； ； ； ；4.87mH

 ； ；7  ； ； ； ； ； ； ； ；400KHz  ； ； ；202  ； ； ； ； ； ；16  ； ； ； ； ； ； ； ； ； ；0.99mH

 ； ；6  ； ； ； ； ； ； ； ； ； ；1MHz  ； ； ； ；196  ； ； ； ； ； ；13  ； ； ； ； ； ； ； ； ；252μH

 ； ；5  ； ； ； ； ； ； ； ； ； ；2MHz  ； ； ； ；198  ； ； ； ； ； ；8.7  ； ； ； ； ； ； ；49.8μH

 ； ；4  ； ； ； ； ； ； ； ；4.5MHz  ； ； ；231  ； ； ； ； ； ；7  ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ；10μH

 ； ；3  ； ； ； ； ； ； ； ； ；12MHz  ； ； ； ； ；193  ； ； ； ；6.9  ； ； ； ； ； ； ； ；2.49μH

 ； ；2  ； ； ； ； ； ； ； ； ；12MHz  ； ； ； ； ；229  ； ； ； ；6.4  ； ； ； ； ； ； ；0.508μH  ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ；

 ； ；1  ； ；25MHz，50MHz  ； ；233，211  ； ； ；0.9  ； ； ； ； ； ；0.125μH

?電橋法和諧振法的區(qū)別：電橋法主要在中提到，核心是通過橋路平衡原理測量相位差，適合中低頻段測試。諧振法在描述較多，利用LC回路諧振特性，更適合高頻場景。用戶可能特別關(guān)注應用場景的區(qū)別，這在實際工作中很重要。比如電力設備檢測常用電橋法（如西林電橋），而高頻電路基板測試可能選諧振法。需要強調(diào)頻率適用性這個關(guān)鍵差異點。 ；注意到提到兩種方法在測量誤差來源上也有本質(zhì)區(qū)別：電橋法受雜散電容影響大，諧振法更怕頻率波動。這點對用戶評估測量精度應該很有價值。 ；準備用對比表格呈現(xiàn)核心差異，從原理到應用場景全面覆蓋。表格后補充典型應用示例會更直觀，比如電力絕緣子測試（電橋法）和微波介質(zhì)諧振器測試（諧振法）的具體場景。

高分子材料的損耗

高分子聚合物電介質(zhì)按單體單元偶極矩的大小可分為極性和非極性兩類。一般地，偶極矩在0~0.5D（德拜）范圍內(nèi)的是非極性高聚物；偶極矩在0.5D以上的是極性高聚物。非極性高聚物具有較低的介電常數(shù)和介質(zhì)損耗，其介電常數(shù)約為2，介質(zhì)損耗小于10-4；極性高聚物則具有較高的介電常數(shù)和介質(zhì)損耗，并且極性愈大，這兩個值愈高。

高聚物的交聯(lián)通常能阻礙極性基團的取向，因此熱固性高聚物的介電常數(shù)和介質(zhì)損耗均隨交聯(lián)度的提高而下降。酚醛樹脂就是典型的例子，雖然這種高聚物的極性很強，但只要固化比較完全，它的介質(zhì)損耗就不高。相反，支化使分子鏈間作用力減弱，分子鏈活動能力增強，介電常數(shù)和介質(zhì)損耗均增大。

高聚物的凝聚態(tài)結(jié)構(gòu)及力學狀態(tài)對介電性景響也很大。結(jié)品能抑制鏈段上偶極矩的取向極化，因此高聚物的介質(zhì)損耗隨結(jié)晶度升高而下降。當高聚物結(jié)晶度大于70%時，鏈段上的偶極的極化有時完全被抑制，介電性能可降至最低值，同樣的道理，非晶態(tài)高聚物在玻璃態(tài)下比在高彈態(tài)下具有更低的介質(zhì)損耗。此外，高聚物中的增塑利、雜質(zhì)等對介電性能也有很大景響。

形式

各種不同形式的損耗是綜合起作用的。由于介質(zhì)損耗的原因是多方面的，所以介質(zhì)損耗的形式也是多種多樣的。介電損耗主要有以下形式：

1）漏導損耗

實際使用中的絕緣材料都不是完善的理想的電介質(zhì)，在外電場的作用下，總有一些帶電粒子會發(fā)生移動而引起微弱的電流，這種微小電流稱為漏導電流，漏導電流流經(jīng)介質(zhì)時使介質(zhì)發(fā)熱而損耗了電能。這種因電導而引起的介質(zhì)損耗稱為“漏導損耗”。由于實阿的電介質(zhì)總存在一些缺陷，或多或少存在一些帶電粒子或空位，因此介質(zhì)不論在直流電場或交變電場作用下都會發(fā)生漏導損耗。

2）極化損耗

在介質(zhì)發(fā)生緩慢極化時（松弛極化、空間電荷極化等），帶電粒子在電場力的影響下因克服熱運動而引起的能量損耗。

　　一些介質(zhì)在電場極化時也會產(chǎn)生損耗，這種損耗一般稱極化損耗。位移極化從建立極化到其穩(wěn)定所需時間很短（約為10-16～10-12s），這在無線電頻率（5?1012Hz以下）范圍均可認為是極短的，因此基本上不消耗能量。其他緩慢極化（例如松弛極化、空間電荷極化等）在外電場作用下，需經(jīng)過較長時間（10-10s或更長）才達到穩(wěn)定狀態(tài)，因此會引起能量的損耗。

若外加頻率較低，介質(zhì)中所有的極化都能完全跟上外電場變化，則不產(chǎn)生極化損耗。若外加頻率較高時，介質(zhì)中的極化跟不上外電場變化，于是產(chǎn)生極化損耗。

3）電離損耗

　　電離損耗（又稱游離損耗）是由氣體引起的，含有氣孔的固體介質(zhì)在外加電場強度超過氣孔氣體電離所需要的電場強度時，由于氣體的電離吸收能量而造成指耗，這種損耗稱為電離損耗。

4）結(jié)構(gòu)損耗

在高頻電場和低溫下，有一類與介質(zhì)內(nèi)鄰結(jié)構(gòu)的緊密度密切相關(guān)的介質(zhì)損耗稱為結(jié)構(gòu)損耗。這類損耗與溫度關(guān)系不大，耗功隨頻率升高而增大。

試驗表明結(jié)構(gòu)緊密的晶體成玻璃體的結(jié)構(gòu)損耗都很小，但是當某此原因（如雜質(zhì)的摻入、試樣經(jīng)淬火急冷的熱處理等）使它的內(nèi)部結(jié)構(gòu)松散后。其結(jié)構(gòu)耗就會大大升高。

5）宏觀結(jié)構(gòu)不均勾性的介質(zhì)損耗

工程介質(zhì)材料大多數(shù)是不均勻介質(zhì)。例如陶瓷材料就是如此，它通常包含有晶相、玻璃相和氣相，各相在介質(zhì)中是統(tǒng)計分布口。由于各相的介電性不同，有可能在兩相間積聚了較多的自由電荷使介質(zhì)的電場分布不均勻，造成局部有較高的電場強度而引起了較高的損耗。但作為電介質(zhì)整體來看，整個電介質(zhì)的介質(zhì)損耗必然介于損耗最大的一相和損耗最小的一相之間。

頻率范圍

10kHz～50MHz

頻率分段

(虛擬)

10～99.9999kHz

100～999.999kHz

1～9.99999MHz

10～60MHz  ； ； ；

為什么介電常數(shù)越大，絕緣能力越強 .

因為物質(zhì)的介電常數(shù)和頻率相關(guān)，通常稱為介電系數(shù)。

介電常數(shù)又叫介質(zhì)常數(shù)，介電系數(shù)或電容率，它是表示絕緣能力特性的一個系數(shù)。所以理論上來說，介電常數(shù)越大，絕緣性能就越好。

注：這個性質(zhì)不是絕對成立的。

對于絕緣性不太好的材料(就是說不擊穿的情況下，也可以有一定的導電性)和絕緣性很好的材料比較，這個結(jié)論是成立的。

但對于兩個絕緣體就不一定了。

介電常數(shù)反映的是材料中電子的局域(local)特性，導電性是電子的全局(global)特征.不是一回事情的。

補充：

 ；

電介質(zhì)經(jīng)常是絕緣體。其例子包括瓷器(陶器)，云母，玻璃，塑料，和各種金屬氧化物。有些液體和氣體可以作為好的電介質(zhì)材料。干空氣是良好的電介質(zhì)，并被用在可變電容器以及某些類型的傳輸線。蒸餾水如果保持沒有雜質(zhì)的話是好的電介質(zhì)，其相對介電常數(shù)約為80。

 ；

對于時變電磁場，物質(zhì)的介電常數(shù)和頻率相關(guān)，通常稱為介電系數(shù)。介電常數(shù)又叫介質(zhì)常數(shù)，介電系數(shù)或電容率，它是表示絕緣能力特性的一個系數(shù)。

電橋測量靈敏度

 ； ； ； ；電橋在使用過程中，靈敏度直接影響電橋平衡的分辨程度，為保證測量準確度，

希望電橋靈敏度達到一定的水平。通常情況下電橋靈敏度與測量電壓，標準電容量

成正比。

 ；

 ； ； ； ；在下面的計算公式中，用戶可根據(jù)實際使用情況估算出電橋靈敏度水平，在這

個水平上的電容與介質(zhì)損耗因數(shù)的微小變化都能夠反應出來。

 ； ； ； ； ； ； ； ； ； ；DC/C或Dtgd=Ig/UwCn(1 Rg/R4 Cn/Cx)  ； ；

 ； ； ； ； ； ； ； ； ；式中：Ｕ為測量電壓 ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ；伏特（Ｖ）

ω為角頻率2pf=314(50Hz)  ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ；

 ； ； ； ； ； ； ； ； ； ；Ｃｎ標準電容器容量 ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ；皮法（pＦ）

 ； ； ； ； ； ； ； ； ； ；Ｉｇ通用指另儀的電流5X10-10  ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ；安培（Ａ）

 ； ； ； ； ； ； ； ； ； ；Ｒｇ平衡指另儀內(nèi)阻約1500  ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ；歐姆（W）

 ； ； ； ； ； ； ； ； ； ；Ｒ４橋臂R4電阻值3183  ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ；歐姆（W）

 ； ； ； ； ； ； ； ； ； ；Ｃｘ被測試品電容值 ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ；皮法（ｐF）

介電常數(shù)，用于衡量絕緣體儲存電能的性能.它是兩塊金屬板之間以絕緣材料為介質(zhì)時的電容量與同樣的兩塊板之間以空氣為介質(zhì)或真空時的電容量之比。介電常數(shù)代表了電介質(zhì)的極化程度，也就是對電荷的束縛能力，介電常數(shù)越大，對電荷的束縛能力越強。電容器兩極板之間填充的介質(zhì)對電容的容量有影響，而同一種介質(zhì)的影響是相同的，介質(zhì)不同，介電常數(shù)不同。