產(chǎn)品

高頻Q表介質(zhì)損耗測(cè)試儀北京廠家 ； ；使用和保養(yǎng)

高頻Q表是比較精密的阻抗測(cè)量?jī)x器，在合理使用和注意保養(yǎng)情況下，才能保證長(zhǎng)期穩(wěn)定和較高的測(cè)試精度。

a．熟悉本說明書，正確地使用儀器；

b．使儀器經(jīng)常保持清潔、干燥；

c．本儀器保用期為18個(gè)月，如發(fā)現(xiàn)機(jī)械故障或失去準(zhǔn)確度，可以原封送回本廠，免費(fèi)修理。

高頻Q表介質(zhì)損耗測(cè)試儀北京廠家 ； ；技術(shù)參數(shù)：

1．Q值測(cè)量

a．Q值測(cè)量范圍：2～1023。

b．Q值量程分檔：30、100、300、1000、自動(dòng)換檔或手動(dòng)換檔。

c．標(biāo)稱誤差

 ； ； ； ； ；頻率范圍（100kHz～10MHz）： 頻率范圍（10MHz～160MHz）：

 ； ； ； ； ；固有誤差：≤5％?滿度值的2%固有誤差：≤6％?滿度值的2%

 ； ； ； ； ；工作誤差：≤7％?滿度值的2%工作誤差：≤8％?滿度值的2%

2．電感測(cè)量范圍：4.5nH~7.9mH

3．電容測(cè)量：1~205

 ； ； ； ； ；主電容調(diào)節(jié)范圍：18～220pF

 ； ； ； ； ；準(zhǔn)確度：150pF以下?1.5pF；150pF以上?1%

 ； ； ； ； ；注：大于直接測(cè)量范圍的電容測(cè)量見后頁使用說明

4.  ；信號(hào)源頻率覆蓋范圍

 ； ； ； ； ；頻率范圍CH1:0.1～0.999999MHz， CH2: 1～9.99999MHz，

 ； ； ； ； ；CH3:10～99.9999MHz， CH1 :100～160MHz，

5．Q合格指示預(yù)置功能:  ； ； ； ； ；預(yù)置范圍：5～1000。

6．B-測(cè)試儀正常工作條件

a.  ；環(huán)境溫度：0℃～ 40℃；

b．相對(duì)濕度：<；80％；

c．電源：220V?22V，50Hz?2.5Hz。

7．其他

a．消耗功率：約25W；

b．凈重：約7kg；

c.外型尺寸：（l?b?h）mm：380?132?280。

核心原理與技術(shù)

. 高頻諧振法 .

通過諧振電路捕捉材料在特定頻率（如1MHz-10GHz）下的電容與電感參數(shù)變化，計(jì)算介電常數(shù)。

示例流程：放置樣品→調(diào)節(jié)電容至諧振點(diǎn)→記錄Q值最大值→自動(dòng)計(jì)算介電常數(shù)。

. 平行板電容法 .

適用于固體材料，通過上下電極夾持樣品，測(cè)量電容變化推導(dǎo)介電性能。

. 微波共振技術(shù) .

采用TM空洞共振腔（如日本AET儀器），適用于1GHz以上高頻段，可測(cè)低損耗材料如PTFE、高純陶瓷

儀器類型與適用場(chǎng)景

. 類型 . . 特點(diǎn) . . 適用材料 .

平板電容法測(cè)試儀操作簡(jiǎn)單，適合粘稠液體或固體片狀樣品

塑料、陶瓷、薄膜

微波共振測(cè)試儀高精度（?1%），支持條形樣品非破壞性檢測(cè)

PCB基板、高頻電路材料

阻抗分析測(cè)試儀寬頻段覆蓋（20kHz-160MHz），支持復(fù)介電常數(shù)測(cè)量

橡膠、絕緣復(fù)合材料

材料介電參考：

水 ； ； ； ； ；81.5

橡膠2～3

硬橡膠4.3

紙2.5

琥珀2.8

玻璃5～10

云母6～8

無線電瓷6～6.5

空氣 ； ； ；1.000585

石蠟2.0～2.3

花崗石 ；8.3

大理石 ；6.2

食鹽 ； ； ；7.5

氧化鈹 ；9

聚氯乙烯3.1～3.5

苯 ； ； ； ； ；2.283

油漆 ； ； ；3.5

甘油 ； ； ；45.8

干砂 ； ； ；2.5

形式

各種不同形式的損耗是綜合起作用的。由于介質(zhì)損耗的原因是多方面的，所以介質(zhì)損耗的形式也是多種多樣的。介電損耗主要有以下形式：

1）漏導(dǎo)損耗

實(shí)際使用中的絕緣材料都不是完善的理想的電介質(zhì)，在外電場(chǎng)的作用下，總有一些帶電粒子會(huì)發(fā)生移動(dòng)而引起微弱的電流，這種微小電流稱為漏導(dǎo)電流，漏導(dǎo)電流流經(jīng)介質(zhì)時(shí)使介質(zhì)發(fā)熱而損耗了電能。這種因電導(dǎo)而引起的介質(zhì)損耗稱為“漏導(dǎo)損耗”。由于實(shí)阿的電介質(zhì)總存在一些缺陷，或多或少存在一些帶電粒子或空位，因此介質(zhì)不論在直流電場(chǎng)或交變電場(chǎng)作用下都會(huì)發(fā)生漏導(dǎo)損耗。

2）極化損耗

在介質(zhì)發(fā)生緩慢極化時(shí)（松弛極化、空間電荷極化等），帶電粒子在電場(chǎng)力的影響下因克服熱運(yùn)動(dòng)而引起的能量損耗。

　　一些介質(zhì)在電場(chǎng)極化時(shí)也會(huì)產(chǎn)生損耗，這種損耗一般稱極化損耗。位移極化從建立極化到其穩(wěn)定所需時(shí)間很短（約為10-16～10-12s），這在無線電頻率（5?1012Hz以下）范圍均可認(rèn)為是極短的，因此基本上不消耗能量。其他緩慢極化（例如松弛極化、空間電荷極化等）在外電場(chǎng)作用下，需經(jīng)過較長(zhǎng)時(shí)間（10-10s或更長(zhǎng)）才達(dá)到穩(wěn)定狀態(tài)，因此會(huì)引起能量的損耗。

若外加頻率較低，介質(zhì)中所有的極化都能完全跟上外電場(chǎng)變化，則不產(chǎn)生極化損耗。若外加頻率較高時(shí)，介質(zhì)中的極化跟不上外電場(chǎng)變化，于是產(chǎn)生極化損耗。[2]

3）電離損耗

　　電離損耗（又稱游離損耗）是由氣體引起的，含有氣孔的固體介質(zhì)在外加電場(chǎng)強(qiáng)度超過氣孔氣體電離所需要的電場(chǎng)強(qiáng)度時(shí)，由于氣體的電離吸收能量而造成指耗，這種損耗稱為電離損耗。

　　4）結(jié)構(gòu)損耗

在高頻電場(chǎng)和低溫下，有一類與介質(zhì)內(nèi)鄰結(jié)構(gòu)的緊密度密切相關(guān)的介質(zhì)損耗稱為結(jié)構(gòu)損耗。這類損耗與溫度關(guān)系不大，耗功隨頻率升高而增大。

試驗(yàn)表明結(jié)構(gòu)緊密的晶體成玻璃體的結(jié)構(gòu)損耗都很小，但是當(dāng)某此原因（如雜質(zhì)的摻入、試樣經(jīng)淬火急冷的熱處理等）使它的內(nèi)部結(jié)構(gòu)松散后。其結(jié)構(gòu)耗就會(huì)大大升高。

5）宏觀結(jié)構(gòu)不均勾性的介質(zhì)損耗

工程介質(zhì)材料大多數(shù)是不均勻介質(zhì)。例如陶瓷材料就是如此，它通常包含有晶相、玻璃相和氣相，各相在介質(zhì)中是統(tǒng)計(jì)分布口。由于各相的介電性不同，有可能在兩相間積聚了較多的自由電荷使介質(zhì)的電場(chǎng)分布不均勻，造成局部有較高的電場(chǎng)強(qiáng)度而引起了較高的損耗。但作為電介質(zhì)整體來看，整個(gè)電介質(zhì)的介質(zhì)損耗必然介于損耗最大的一相和損耗最小的一相之間。

介質(zhì)損耗（dielectric loss）指的是絕緣材料在電場(chǎng)作用下，由于介質(zhì)電導(dǎo)和介質(zhì)極化的滯后效應(yīng)，在其內(nèi)部引起的能量損耗。也叫介質(zhì)損失，簡(jiǎn)稱介損。

介質(zhì)損耗因數(shù)（dielectric loss factor）指的是衡量介質(zhì)損耗程度的參數(shù)。

?關(guān)鍵對(duì)比與選擇?

?場(chǎng)景?	?推薦電橋類型?	?優(yōu)勢(shì)?
中低阻值精確測(cè)量（Ω級(jí)）	惠斯通電橋	結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，成本低7
毫歐級(jí)微小電阻檢測(cè)	凱爾文電橋	消除導(dǎo)線電阻誤差7
高頻介質(zhì)損耗分析	西林電橋	支持10kV高壓，抗干擾強(qiáng)

信號(hào)源頻率覆蓋范圍

； ； ； ；	A	C
頻率范圍	10kHz～60MHz	0.1～160MHz
CH1	10～99.9999kHz	0.1～0.999999MHz
CH2	100～999.999kHz	1～9.99999MHz
CH3	1～9.99999MHz	10～99.9999MHz
CH4	10～60MHz	100～160MHz
頻率指示誤差	3?10-5?1個(gè)字

 ；

?電橋法和諧振法的區(qū)別：電橋法主要在中提到，核心是通過橋路平衡原理測(cè)量相位差，適合中低頻段測(cè)試。諧振法在描述較多，利用LC回路諧振特性，更適合高頻場(chǎng)景。用戶可能特別關(guān)注應(yīng)用場(chǎng)景的區(qū)別，這在實(shí)際工作中很重要。比如電力設(shè)備檢測(cè)常用電橋法（如西林電橋），而高頻電路基板測(cè)試可能選諧振法。需要強(qiáng)調(diào)頻率適用性這個(gè)關(guān)鍵差異點(diǎn)。 ；注意到提到兩種方法在測(cè)量誤差來源上也有本質(zhì)區(qū)別：電橋法受雜散電容影響大，諧振法更怕頻率波動(dòng)。這點(diǎn)對(duì)用戶評(píng)估測(cè)量精度應(yīng)該很有價(jià)值。 ；準(zhǔn)備用對(duì)比表格呈現(xiàn)核心差異，從原理到應(yīng)用場(chǎng)景全面覆蓋。表格后補(bǔ)充典型應(yīng)用示例會(huì)更直觀，比如電力絕緣子測(cè)試（電橋法）和微波介質(zhì)諧振器測(cè)試（諧振法）的具體場(chǎng)景。 ；需要特別注意引用規(guī)范：每個(gè)技術(shù)點(diǎn)都要標(biāo)注來源，且避免集中標(biāo)注。比如電橋法的頻率范圍標(biāo)注，諧振法的定位能力標(biāo)注，分散在相應(yīng)句子后。 ；用戶沒有要求特別詳細(xì)的原理描述，所以無需展開數(shù)學(xué)公式，重點(diǎn)突出工程應(yīng)用差異。不過要提一句溫度適應(yīng)性（提到電橋法對(duì)溫濕度敏感），這對(duì)戶外檢測(cè)場(chǎng)景很重要。

關(guān)于高頻介質(zhì)損耗測(cè)試儀的特點(diǎn)及原理：高頻介質(zhì)損耗測(cè)試儀具備寬頻率范圍（20Hz-1MHz甚至更高），采用高精度LCR測(cè)量電路和24位AD轉(zhuǎn)換器實(shí)現(xiàn)微伏級(jí)信號(hào)分辨，配備溫控模塊支持-40℃至200℃溫度范圍。儀器具備多重保護(hù)機(jī)制，包括輸入電壓波動(dòng)、輸出短路、過壓過流保護(hù)等安全特性。此外，測(cè)試儀還能測(cè)量電感量和品質(zhì)因數(shù)等參數(shù)，并支持?jǐn)?shù)據(jù)存儲(chǔ)和管理功能。

在原理方面，高頻介質(zhì)損耗測(cè)試儀主要基于電橋法和諧振法。電橋法通過相位差檢測(cè)技術(shù)，比對(duì)標(biāo)準(zhǔn)電容器與待測(cè)樣品的電流相位差來計(jì)算復(fù)介電常數(shù)。而諧振法（Q表法）則利用諧振頻率偏移或品質(zhì)因數(shù)變化來評(píng)估介電特性。對(duì)于材料介電性能，介電常數(shù)反映材料儲(chǔ)存電能的能力，介質(zhì)損耗角正切值表示能量損耗比例。高頻測(cè)試儀通常采用三電極結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)以消除邊緣效應(yīng)誤差，并通過數(shù)字化實(shí)時(shí)采集進(jìn)行矢量運(yùn)算。

用戶可能從事電力設(shè)備檢測(cè)或材料研究工作，需要這些專業(yè)參數(shù)來評(píng)估絕緣材料的高頻特性。高頻介質(zhì)損耗測(cè)試儀的技術(shù)指標(biāo)對(duì)材料研發(fā)和電力設(shè)備安全至關(guān)重要，特別是tanδ值過高會(huì)導(dǎo)致絕緣層溫升加速老化。

典型應(yīng)用場(chǎng)景

電力設(shè)備：評(píng)估高壓電纜、電容器、變壓器絕緣材料的溫升特性。

電子材料：分析高頻電路基板、陶瓷電容器的介電性能。

科研領(lǐng)域：研究復(fù)合材料、納米材料在不同溫度/頻率下的極化機(jī)制。

高頻介質(zhì)損耗試驗(yàn)儀通過電橋法和諧振法的融合設(shè)計(jì)，結(jié)合寬頻、高精度及溫控功能，成為材料介電特性研究的核心設(shè)備

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