供應

產(chǎn)品描述

上海伯東代理美國考夫曼博士設立的考夫曼公司 KRI 霍爾離子源 eH 1000 高效氣體利用, 低成本設計提供高離子電流, 特別適合中型真空系統(tǒng). 通常應用于離子輔助鍍膜, 預清洗和低能量離子蝕刻.

尺寸: 直徑= 5.7“ 高= 5.5”

放電電壓 / 電流: 50-300V / 10A

操作氣體: Ar, Xe, Kr, O2, N2, 有機前體

美國 KRI 霍爾離子源 eH 1000 產(chǎn)品特性：

伯東 KRI 霍爾離子源 eH 1000 特性:

1.可拆卸陽極組件 - 易于維護; 維護時, 最大限度地減少停機時間; 即插即用備用陽極

2.寬波束高放電電流 - 高電流密度; 均勻的蝕刻率; 刻蝕效率高; 高離子輔助鍍膜 IAD 效率

3.多用途 - 適用于 Load lock / 超高真空系統(tǒng); 安裝方便; 無需水冷

4.高效的等離子轉(zhuǎn)換和穩(wěn)定的功率控制

美國 KRI 霍爾離子源 eH 1000 技術(shù)參數(shù)：

KRI 霍爾離子源 eH 1000 技術(shù)參數(shù):

型號	eH1000 / eH1000L / eH1000x02/ eH1000LEHO
供電	DC magnetic confinement
- 電壓	40-300V VDC
- 離子源直徑	~ 5 cm
- 陽極結(jié)構(gòu)	模塊化
電源控制	eHx-30010A
配置	-
- 陰極中和器	Filament, Sidewinder Filament or Hollow Cathode
- 離子束發(fā)散角度	> 45? (hwhm)
- 陽極	標準或 Grooved
- 水冷	前板水冷
- 底座	移動或快接法蘭
- 高度	4.0'
- 直徑	5.7'
- 加工材料	金屬 電介質(zhì) 半導體
- 工藝氣體	Ar, Xe, Kr, O2, N2, Organic Precursors
- 安裝距離	10-36”
- 自動控制	控制4種氣體

* 可選: 可調(diào)角度的支架; Sidewinder

美國 KRI 霍爾離子源 eH 1000 應用領(lǐng)域：

KRI 霍爾離子源 eH 1000 應用領(lǐng)域:

1.離子輔助鍍膜 IAD

2.預清洗 Load lock preclean

3.預清洗 In-situ preclean

4.Direct Deposition

5.Surface Modification

6.Low-energy etching

7.III-V Semiconductors

8.Polymer Substrates