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安徽某晶體廠商采用 hakuto 離子刻蝕機 20IBE-J 刻蝕濾波器鉭酸鋰晶片, 采用間歇式離子束刻蝕方法,解決了刻蝕區(qū)微裂紋工藝問題, 使厚度為60μm鉭酸鋰晶片減薄至30μm.
Hakuto 離子蝕刻機 20IBE-J 技術參數(shù):
Φ4 inch X 12片 | 基片尺寸 | Φ4 inch X 12片 Φ5 inch X 10片 Φ6 inch X 8片 |
均勻性 | ?5% | |
硅片刻蝕率 | 20 nm/min | |
樣品臺 | 直接冷卻,水冷 | |
離子源 | Φ20cm 考夫曼離子源 |
Hakuto 離子刻蝕機 20IBE-J 的核心構(gòu)件離子源采用的是伯東公司代理美國 考夫曼博士創(chuàng)立的 KRI考夫曼公司的射頻離子源 RFICP220
伯東 KRI 射頻離子源 RFICP 220 技術參數(shù):
離子源型號 | RFICP 220 |
Discharge | RFICP 射頻 |
離子束流 | >800 mA |
離子動能 | 100-1200 V |
柵極直徑 | 20 cm Φ |
離子束 | 聚焦, 平行, 散射 |
流量 | 10-40 sccm |
通氣 | Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他 |
典型壓力 | < 0.5m Torr |
中和器 | LFN 2000 |
晶體濾波器的用途越來越廣泛, 尤其在通信機和雷達設備中, 都需要高頻率、大帶寬的晶體濾波器. 目前,晶體濾波器使用的主要材料是石英晶體, 由于其具有高品質(zhì)因數(shù)(Q)值、良好的溫度穩(wěn)定性和時間穩(wěn)定性, 在精度要求很高的窄帶濾波器中具有很大的優(yōu)越性.
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