供應(yīng)

上海伯東美國 KRi 霍爾離子源 EH 400 成功應(yīng)用于蒸發(fā)鍍膜機, 協(xié)助客戶完成不規(guī)則電子晶片蒸鍍前清洗, 經(jīng)過清洗后的晶片鍍膜, 膜層厚度均勻性及附著牢固度都明顯提高.
KRi 霍爾離子源在不規(guī)則電子晶片蒸鍍中的作用
設(shè)備: 進口蒸發(fā)鍍膜機, 加裝離子源
離子源型號: KRi 霍爾離子源 EH 400
預(yù)清潔應(yīng)用: 通過離子 Ar 轟擊晶片表面, 去除物理或化學(xué)吸附的污染物, 清潔后在進行蒸鍍, 膜層厚度均勻性及附著牢固度都明顯提高.
去除物理吸附污染: 去除晶片表面污染, 如水, 吸附氣體, 碳氫化合物殘留
去除化學(xué)吸附污染: 去除天然和粘合材料. 如表面氧化物, 通常去除 < 100?

美國 KRi 霍爾離子源  eH 400 特性
高離子束電流滿足沉積率的臨界到達比
低離子能量通過避免高能離子對表面和界面的轟擊損傷而使產(chǎn)量更大化
寬束, 發(fā)散離子束通過均勻地覆蓋沉積區(qū)從而增加每次加工零件數(shù)量來提高吞吐量
堅固耐用的模塊化結(jié)構(gòu)降低了備件耗材和維護時間, 減少維護成本和停機時間
無柵網(wǎng), 緊湊設(shè)計, 方便加裝, 提供離子輔助功能
KRi 霍爾離子源 eH 400 技術(shù)參數(shù):

上海伯東代理美國 KRi 離子源適用于安裝在 MBE 分子束外延, 濺射和蒸發(fā)系統(tǒng), PLD 脈沖激光系統(tǒng)等, 在沉積前用離子轟擊表面, 進行預(yù)清潔 Pre-clean 的工藝, 對基材表面有機物清洗, 金屬氧化物的去除等, 提高沉積薄膜附著力, 純度, 應(yīng)力, 工藝效率等！ 上海伯東是美國 KRi 離子源中國總代理
1978 年 Dr. Kaufman 博士在美國創(chuàng)立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發(fā)生產(chǎn)考夫曼離子源, 霍爾離子源和射頻離子源. 美國考夫曼離子源歷經(jīng) 40 年改良及發(fā)展已取得多項專利. KRi 離子源在真空環(huán)境中實現(xiàn)薄膜沉積, 干式納米刻蝕和修改材料表面性能, 廣泛用于離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 領(lǐng)域.

若您需要進一步的了解詳細信息或討論, 請參考以下聯(lián)絡(luò)方式:
上海伯東: 羅小姐                                   臺灣伯東: 王小姐
T: 86-21-5046-3511 ext 108              T: 886-3-567-9508 ext 161
F: 86-21-5046-1322                            F: 886-3-567-0049
M: 86 152-0195-1076 ( 微信同號 )      M: 886-939-653-958
qq: 2821409400 
www.hakuto-china.cn                        www.hakuto-vacuum.com.tw

現(xiàn)部分品牌誠招合作代理商, 有意向者歡迎聯(lián)絡(luò)上海伯東 葉小姐 1391-883-7267
上海伯東版權(quán)所有, 翻拷必究！