價格：面議瀏覽：245次聯(lián)系：張婷婷 / 15021001340 / 0755-25473928企業(yè)：伯東貿(mào)易(深圳)有限公司留言店鋪收藏
某光學(xué)器件制造商采用伯東 Hakuto 離子蝕刻機 20IBE-J 應(yīng)用于光學(xué)器件精密加工, 通過蝕刻工藝提高光學(xué)器件的聚酰亞胺薄膜的表面光潔度.
.jpg)
Hakuto 離子蝕刻機 20IBE-J 技術(shù)參數(shù)
Φ4 inch X 12片 | 基片尺寸 | Φ4 inch X 12片 Φ5 inch X 10片 Φ6 inch X 8片 |
均勻性 | ?5% | |
硅片刻蝕率 | 20 nm/min | |
樣品臺 | 直接冷卻,水冷 | |
離子源 | Φ20cm 考夫曼離子源 |
Hakuto 離子刻蝕機 20IBE-J 的核心構(gòu)件離子源采用的是伯東公司代理美國 考夫曼博士創(chuàng)立的 KRI考夫曼公司的射頻離子源 RFICP220
.jpg)
伯東 KRI 射頻離子源 RFICP 220 技術(shù)參數(shù):
離子源型號 | RFICP 220 |
Discharge | RFICP 射頻 |
離子束流 | >800 mA |
離子動能 | 100-1200 V |
柵極直徑 | 20 cm Φ |
離子束 | 聚焦, 平行, 散射 |
流量 | 10-40 sccm |
通氣 | Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他 |
典型壓力 | < 0.5m Torr |
中和器 | LFN 2000 |
采用伯東 Hakuto 離子蝕刻機 20IBE-J 可以使 PV、RMS分別為1.347μm和340nm的粗糙表面, 通過蝕刻其粗糙度可降低至75nm和13nm; PV、RMS分別為61nm和8nm的表面, 其粗糙度可降低至9nm和1nm. 該刻蝕工藝能有效提高光學(xué)器件聚酰亞胺薄膜的表面光潔度.
若您需要進一步的了解詳細產(chǎn)品信息或討論 , 請參考以下聯(lián)絡(luò)方式 :
上海伯東 : 羅先生 臺灣伯東 : 王小姐
T: 86-21-5046-1322 T: 886-3-567-9508 ext 161
F: 86-21-5046-1490 F: 886-3-567-0049
M: 86 152-0195-1076 M: 886-939-653-958
www.hakuto-china.cn www.hakuto-vacuum.com.tw
伯東版權(quán)所有, 翻拷必究！
業(yè)務(wù)咨詢：932174181 媒體合作：2279387437 24小時服務(wù)熱線：15136468001 盤古機械網(wǎng) － 全面、科學(xué)的機械行業(yè)免費發(fā)布信息網(wǎng)站 Copyright 2017 PGJXO.COM 豫ICP備12019803號
.jpg)