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MoN薄膜是一種具有潛在應(yīng)用價(jià)值的薄膜材料, 但對(duì)于其結(jié)構(gòu)和性能的研究還較少. 因此,廣州某研究機(jī)構(gòu)采用KRI 考夫曼射頻離子源 RFCIP220 在 304 不銹鋼基體表面濺射沉積 MoN薄膜, 系統(tǒng)研究了 MoN 薄膜在不同摩擦條件下的摩擦磨損行為.
伯東 KRI 射頻離子源 RFICP220 技術(shù)參數(shù):
離子源型號(hào) | RFICP220 |
Discharge | RFICP 射頻 |
離子束流 | >800 mA |
離子動(dòng)能 | 100-1200 V |
柵極直徑 | 20 cm Φ |
離子束 | 聚焦, 平行, 散射 |
流量 | 10-40 sccm |
通氣 | Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他 |
典型壓力 | < 0.5m Torr |
長(zhǎng)度 | 30 cm |
直徑 | 41 cm |
中和器 | LFN 2000 |
* 可選: 燈絲中和器; 可變長(zhǎng)度的增量
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結(jié)果表明:
偏壓顯著影響直流磁控沉積的 MoN 薄膜的晶相結(jié)構(gòu)、表面形貌、斷面結(jié)構(gòu)、硬度和摩擦磨損性能;隨脈沖偏壓的增大, MoN 薄膜的膜厚、硬度都先增大后減小, 而薄膜的磨損率卻先減小后增大, 其中 -500 V 脈沖偏壓下沉積的 MoN 薄膜具有最高硬度為 7731 N/mm~2, 以及最低的磨損率為 5.8?10~(-7)mm~3/(N?m). 此外, MoN 薄膜在不同載荷和轉(zhuǎn)速的摩擦條件下表現(xiàn)出不同的摩擦學(xué)行為.
KRI 離子源的獨(dú)特功能實(shí)現(xiàn)了更好的性能, 增強(qiáng)的可靠性和新穎的材料工藝. KRI 離子源已經(jīng)獲得了理想的薄膜和表面特性, 而這些特性在不使用 KRI 離子源技術(shù)的情況下是無法實(shí)現(xiàn)的.
因此, 該研究項(xiàng)目才采用 KRI 考夫曼射頻離子源 RFCIP220 輔助濺射沉積工藝.
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