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    KRI 離子源用于IR-cut紅外濾光片制備

    價(jià)格:面議瀏覽:208次聯(lián)系:張婷婷 / 15021001340 / 0755-25473928企業(yè):伯東貿(mào)易(深圳)有限公司留言店鋪收藏

        紅外截止濾光片 (IRCF) 是利用精密光學(xué)鍍膜技術(shù)在光學(xué)基片上交替鍍上高低折射率的光學(xué)膜, 實(shí)現(xiàn)可見(jiàn)光區(qū)(400nm-630nm)高透, 近紅外(700nm-1100nm)截止的光學(xué)濾光片, 主要應(yīng)用于可拍照手機(jī)攝像頭、電腦內(nèi)置攝像頭、汽車(chē)攝像頭和安防攝像頭等數(shù)碼成像領(lǐng)域, 用于消除紅外光線對(duì) CCD/CMOS 成像的影響. 通過(guò)在成像系統(tǒng)中加入紅外截止濾光片, 阻擋該部分干擾成像質(zhì)量的紅外光, 可以使所成影像更加符合人眼的最佳感覺(jué). 上海伯東某客戶為精密光學(xué)鍍膜產(chǎn)品生產(chǎn)商, 經(jīng)過(guò)伯東推薦選用國(guó)產(chǎn)鍍膜機(jī)加裝美國(guó)進(jìn)口 KRi 霍爾離子源完成 IR-cut 工藝過(guò)程, 保證工藝效果, 提高生產(chǎn)效率.

     

    KRI 離子源用于IR-cut紅外濾光片制備

     

    1. 應(yīng)用方向: 離子清洗, 輔助沉積

    2. 鍍膜機(jī)型: 1米7 的大型蒸鍍?cè)O(shè)備, 配置美國(guó) KRi 霍爾離子源 eH 3000

    3. 測(cè)試環(huán)境: 80C / 80% 濕度, 85C / 95% 濕度, 連續(xù) 1,500 小時(shí)高溫高濕嚴(yán)苛環(huán)境測(cè)試

    4. 鍍膜材料: Ti305 Si02

     

        結(jié)果表明采用上海伯東美國(guó)原裝進(jìn)口 KRI 霍爾離子源, 可以獲得較高折射率的TI3O5膜層, 通過(guò)多次驗(yàn)證, KRI 離子源輔助鍍膜可以獲得穩(wěn)定的膜層結(jié)構(gòu).  

     

     

        美國(guó) KRI 霍爾離子源 eH 系列緊湊設(shè)計(jì), 高電流低能量寬束型離子源, 提供原子等級(jí)的細(xì)微加工能力, 霍爾離子源 eH 可以以納米精度來(lái)處理薄膜及表面, 多種型號(hào)滿足科研及工業(yè), 半導(dǎo)體應(yīng)用. 霍爾離子源高電流提高鍍膜沉積速率, 低能量減少離子轟擊損傷表面, 寬束設(shè)計(jì)提高吞吐量和覆蓋沉積區(qū). 整體易操作, 易維護(hù).


    霍爾離子源 eH 系列在售型號(hào):

    型號(hào)

    eH400

    eH1000

    eH2000

    eH3000

    eH Linear

    中和器

    F or HC

    F or HC

    F or HC

    F or HC

    F

    陽(yáng)極電壓

    50-300 V

    50-300 V

    50-300 V

    50-250 V

    50-300 V

    離子束流

    5A

    10A

    10A

    20A

    根據(jù)實(shí)際應(yīng)用

    散射角度

    >45

    >45

    >45

    >45

    >45

    氣體流量

    2-25 sccm

    2-50 sccm

    2-75 sccm

    5-100 sccm

    根據(jù)實(shí)際應(yīng)用

    本體高度

    3.0“

    4.0“

    4.0“

    6.0“

    根據(jù)實(shí)際應(yīng)用

    直徑

    3.7“

    5.7“

    5.7“

    9.7“

    根據(jù)實(shí)際應(yīng)用

    水冷

    可選

    可選

    可選

    根據(jù)實(shí)際應(yīng)用

     

       1978 年 Dr. Kaufman 博士在美國(guó)創(chuàng)立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發(fā)生產(chǎn)考夫曼離子源, 霍爾離子源和射頻離子源. 美國(guó)考夫曼離子源歷經(jīng) 40 年改良及發(fā)展. 離子源廣泛用于離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 領(lǐng)域, 上海伯東是美國(guó)考夫曼離子源中國(guó)總代理.

     

     

    KRI 考夫曼離子源其余相關(guān)應(yīng)用:

     

    美國(guó) KRi 考夫曼離子源 KDC 40 熱蒸鍍機(jī)應(yīng)用 (hakuto-china.cn)

    離子源表面預(yù)清潔 Pre-clean 應(yīng)用 (hakuto-china.cn)

    伯東 KRI 考夫曼離子源 KDC 160 輔助沉積高鋁超硬涂層增強(qiáng)切削性能 (hakuto-china.cn)

     

     

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    美國(guó) KRI 考夫曼離子源 KDC 40 (hakuto-china.cn)

    美國(guó) KRI 考夫曼離子源 KDC 10 (hakuto-china.cn)

     

    上海伯東同時(shí)提供真空系統(tǒng)所需的渦輪分子泵, 真空規(guī), 高真空插板閥等產(chǎn)品, 協(xié)助客戶生產(chǎn)研發(fā)高質(zhì)量的真空系統(tǒng).
    1978 年 Dr. Kaufman 博士在美國(guó)創(chuàng)立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發(fā)生產(chǎn)考夫曼離子源, 霍爾離子源和射頻離子源. 美國(guó)考夫曼離子源歷經(jīng) 40 年改良及發(fā)展. 離子源廣泛用于離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 領(lǐng)域.

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    上海伯東: 羅小姐                                   臺(tái)灣伯東: 王小姐
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