供應(yīng)

分子束外延 MBE 是一種晶體生長技術(shù), 首先將待成長的芯片放置在超高真空腔體中（~10-10Torr）, 和將需要生長的單晶物質(zhì)按元素的不同分別放在噴射爐中, 當(dāng)爐溫升至一定溫度時, 爐中的材料會以原子束或分子束的形式蒸發(fā)出來, 此時基板也被加熱至一適當(dāng)?shù)臏囟? 分子束射至基板時, 就會與基板表面的原子結(jié)合而生長出極薄的, 可薄至單原子層水平, 單晶體和幾種物質(zhì)交替的超晶格結(jié)構(gòu).

分子束外延 MBE系統(tǒng)需要在超高真空環(huán)境中進行, 對真空度要求及其高, 真空可到 2?10-10 torr, 同時需要分子泵低振動, 低噪音, 清潔無油確保超高真空的穩(wěn)定性已保證晶格的生長和后期的探測分析.

分子束外延設(shè)備在生長二維材料以及拓?fù)洳牧? 氧化物方面都有不錯的性能. 例如：GaAs/ InP和GaSb外延, HgCdTe外延/ GaN/ InN和AlN外延/ Ⅱ-Ⅵ族外延/ SiGe外延/ Si/金屬/氧化物外延等

上海伯東Pfeiffer 真空泵用于 MBE 的客戶案例

某真空系統(tǒng)集成商搭建的MBE設(shè)備, 由用戶方采購 Pfeiffer 真空泵 HiPace 系列渦輪分子泵和 ACP干泵用于分子束外延系統(tǒng),

可以生長小樣品及最大6“樣品 SiC及 PBN鎢絲等加熱元件, 溫度可以加到900度, 如果兩寸以上樣品可以到1100度.

腔體采有SS316材質(zhì), 真空可達(dá)到10-10Torr, 使用伯東 Pfeiffer 真空泵 HiPace分子泵及配合使用其他品牌離子泵, 可配備晶振, 束流監(jiān)控器, 高能電子槍以及監(jiān)控軟件.

可配備固體源/ 氣體源/ALD閥/ 等離子體增強型束源爐及電子回旋共振束源爐

標(biāo)準(zhǔn)RHEED系統(tǒng)（實時外延監(jiān)測）

自動化控制軟件

分子束外延超高真空系統(tǒng)用伯東 Pfeiffer 真空泵分子泵

伯東 Pfeiffer 渦輪分子泵 HiPace 700
接口: DN 160 CF-F
極限真空: < 5X10-10 mbar
氮氣壓縮比: > 1X1011
抽速@N2: 685 l/s

伯東 Pfeiffer 真空泵 ACP28 多級羅茨泵

接口: DN25 ISO-KF
抽速: 27m3/h

上海伯東是德國 Pfeiffer 真空泵, 檢漏儀, 質(zhì)譜儀, 真空計, 美國 KRI 考夫曼離子源, 美國 inTEST 高低溫沖擊測試機, 美國 Ambrell 感應(yīng)加熱設(shè)備和日本 NS 離子蝕刻機等進口知名品牌的指定代理商.

若您需要進一步的了解詳細(xì)信息或討論, 請參考以下聯(lián)絡(luò)方式：

上海伯東: 羅先生                               臺灣伯東: 王女士
T: 86-21-5046-1322                   T: 886-3-567-9508 ext 161
F: 86-21-5046-1490                        F: 886-3-567-0049
M: 86 152-0195-1076                     M: 886-939-653-958
www.hakuto-china.cn                    www.hakuto-vacuum.com.tw

上海伯東版權(quán)所有, 翻拷必究！